MOS管被ESD擊穿如何改善介紹

大家可能并不陌生MOS管，由于MOS管不具備防靜電、防浪涌，ESD靜電和浪涌無(wú)處不在，存在于任何的電子產(chǎn)品中，令人防不勝防。

然而MOS管卻又是一個(gè)ESD靜電極具敏感器件，它本身的輸入電阻很高。而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應(yīng)而帶電;又因在靜電較強(qiáng)的場(chǎng)合難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿。

究竟該如何解決MOS管被ESD擊穿的改善方法?

MOS管本身的輸入電阻很高，而柵源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應(yīng)而帶電，而少量電荷就可在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓(U=Q/C)，將管子損壞。

雖然MOS管輸入端有抗靜電的保護(hù)措施，但仍需小心對(duì)待，在存儲(chǔ)和運(yùn)輸中最好用金屬容器或者導(dǎo)電材料包裝，不要放在易產(chǎn)生靜電高壓的化工材料或化纖織物中。

組裝、調(diào)試時(shí)，工具、儀表、工作臺(tái)等均應(yīng)良好接地。要防止操作人員的靜電干擾造成的損壞，如不宜穿尼龍、化纖衣服，手或工具在接觸集成塊前最好先接一下地。對(duì)器件引線矯直彎曲或人工焊接時(shí)，使用的設(shè)備必須良好接地。

MOS管電路輸入端的保護(hù)二極管，其通時(shí)電流容限一般為1mA，在可能出現(xiàn)過(guò)大瞬態(tài)輸入電流(超過(guò)10mA)時(shí)，應(yīng)串接輸入保護(hù)電阻。因此應(yīng)用時(shí)可選擇一個(gè)內(nèi)部有保護(hù)電阻的MOS管應(yīng)。

還有由于保護(hù)電路吸收的瞬間能量有限，太大的瞬間信號(hào)和過(guò)高的靜電電壓將使保護(hù)電路失去作用。所以焊接時(shí)電烙鐵必須可靠接地，以防漏電擊穿器件輸入端，一般使用時(shí)，可斷電后利用電烙鐵的余熱進(jìn)行焊接，并先焊其接地管腳。

MOS管是電壓驅(qū)動(dòng)元件，對(duì)電壓很敏感，懸空的G很容易接受外部干擾使MOS管導(dǎo)通，外部干擾信號(hào)對(duì)G-S結(jié)電容充電，這個(gè)微小的電荷可以儲(chǔ)存很長(zhǎng)時(shí)間。

在試驗(yàn)中G懸空很危險(xiǎn)，很多就因?yàn)檫@樣爆管，G接個(gè)下拉電阻對(duì)地，旁路干擾信號(hào)就不會(huì)直通了，一般可以10~20K。

這個(gè)電阻稱為柵極電阻：

作用1 為場(chǎng)效應(yīng)管提供偏置電壓;

作用2 起到瀉放電阻的作用(保護(hù)柵極G~源極S)。

第一個(gè)作用好理解，這里解釋一下第二個(gè)作用的原理：保護(hù)柵極G~源極S：場(chǎng)效應(yīng)管的G-S極間的電阻值是很大的，這樣只要有少量的靜電就能使他的G-S極間的等效電容兩端產(chǎn)生很高的電壓，如果不及時(shí)把這些少量的靜電瀉放掉，他兩端的高壓就有可能使場(chǎng)效應(yīng)管產(chǎn)生誤動(dòng)作，甚至有可能擊穿其G-S極;這時(shí)柵極與源極之間加的電阻就能把上述的靜電瀉放掉，從而起到了保護(hù)場(chǎng)效應(yīng)管的作用。

壹芯微科技專注于“二,三極管、MOS(場(chǎng)效應(yīng)管)、橋堆”研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，20年行業(yè)經(jīng)驗(yàn)，擁有先進(jìn)全自動(dòng)化雙軌封裝生產(chǎn)線、高速檢測(cè)設(shè)備等，研發(fā)技術(shù)、芯片源自臺(tái)灣，專業(yè)生產(chǎn)流程管理及工程團(tuán)隊(duì)，保障所生產(chǎn)每一批物料質(zhì)量穩(wěn)定和更長(zhǎng)久的使用壽命，實(shí)現(xiàn)高度自動(dòng)化生產(chǎn)，大幅降低人工成本，促進(jìn)更好的性價(jià)比優(yōu)勢(shì)！選擇壹芯微，還可為客戶提供參數(shù)選型替代，送樣測(cè)試，技術(shù)支持，售后服務(wù)等，如需了解更多詳情或最新報(bào)價(jià)，歡迎咨詢官網(wǎng)在線客服！

手機(jī)號(hào)/微信：13534146615

QQ：2881579535