NDD05N50ZT4G場效應管參數 NDD05N50ZT4G參數資料規格書〔壹芯微〕

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NDD05N50ZT4G主要參數：

漏源電壓(VDSS)：500V

柵源電壓(VGSS)：±30V

漏極電流-連續(TJ=25°C)(ID)：4.7A

漏極電流-連續(TJ=100°C)(ID)：3A

漏極電流-脈沖(IDM)：19A

單脈沖雪崩能量(EAS)：130mJ

二極管恢復峰值(dv/dt)：4.5V/ns

功耗(TC=25°C)(PD)：83W

工作與貯存溫度范圍(TJ,TSTG)：-55~150°С

熱阻-結到外殼(RθJC)：1.5°C/W

熱阻-結到環境(RθJA)：38°C/W

焊接的最高引線溫度(TL)：260°С

〔壹芯微〕國內功率半導體制造廠商，主營各類貼片與直插，二極管、三極管、MOS(場效應管)、可控硅、三端穩壓管、整流橋，IC(集成電路)；參數達標，質量保障，工廠直銷(價省20%)，免費送樣，選型替代，技術支持，專業售后，如需了解產品詳情或最新報價，歡迎咨詢官網在線客服。

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