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來源：壹芯微 發(fā)布日期
2021-12-01 瀏覽：-NDD05N50ZT4G場效應(yīng)管參數(shù),NDD05N50ZT4G規(guī)格書下載,中文資料
壹芯微®NDD05N50ZT4G替代國際知名品牌對應(yīng)型號,MOS(場效應(yīng)管)NDD05N50ZT4G詳細(xì)參數(shù),封裝引腳圖,規(guī)格書(數(shù)據(jù)手冊)
(圖：NDD05N50ZT4G場效應(yīng)管封裝TO-252引腳圖)
NDD05N50ZT4G場效應(yīng)管主要參數(shù)
| 參數(shù) | 符號 | 值 | 單位 |
| 漏極-源極電壓 | VDSS | 500 | V |
| 柵極-源極電壓 | VGSS | ±30 | V |
| 雪崩電流 | IAR | - | A |
| 柵極-源極電壓(TJ=25°C) | ID | 4.7 | A |
| 柵極-源極電壓(TJ=100°C) | ID | 3 | A |
| 脈沖漏極電流 | IDM | 19 | A |
| 單脈沖雪崩能量 | EAS | 130 | mJ |
| 重復(fù)雪崩能量 | EAR | - | mJ |
| 二極管恢復(fù)峰值 | dv/dt | 4.5 | V/ns |
| 功耗,(TC=25°C) | PD | 83 | W |
| 工作結(jié)溫范圍 | TJ | -55~150 | °С |
| 貯存溫度范圍 | TSTG | -55~150 | °С |
| 熱阻-結(jié)到外殼 | RθJC | 1.5 | °C/W |
| 熱阻-結(jié)到環(huán)境 | RθJA | 38 | °C/W |
| 焊接的最高引線溫度 | TL | 260 | °С |
(參數(shù)表(如上)：絕對最大額定參數(shù)與電氣特性等)
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