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來(lái)源：壹芯微 發(fā)布日期
2021-12-01 瀏覽：-AP05N50EH場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)資料,AP05N50EH-HF規(guī)格書(shū)下載,MOS管廠(chǎng)家直銷(xiāo)
壹芯微®AP05N50EH替代國(guó)際知名品牌對(duì)應(yīng)型號(hào),MOS(場(chǎng)效應(yīng)管)AP05N50EH詳細(xì)參數(shù),封裝引腳圖,規(guī)格書(shū)(數(shù)據(jù)手冊(cè))
(圖：AP05N50EH場(chǎng)效應(yīng)管封裝TO-252引腳圖)
AP05N50EH場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)
| 參數(shù) | 符號(hào) | 值 | 單位 |
| 漏極-源極電壓 | VDSS | 500 | V |
| 柵極-源極電壓 | VGSS | ±30 | V |
| 雪崩電流 | IAR | 5 | A |
| 柵極-源極電壓(TJ=25°C) | ID | 5 | A |
| 柵極-源極電壓(TJ=100°C) | ID | - | A |
| 脈沖漏極電流 | IDM | 20 | A |
| 單脈沖雪崩能量 | EAS | 12.5 | mJ |
| 重復(fù)雪崩能量 | EAR | - | mJ |
| 二極管恢復(fù)峰值 | dv/dt | - | V/ns |
| 功耗,(TC=25°C) | PD | 73.5 | W |
| 功耗,(TA=25°C) | PD | 2 | W |
| 工作結(jié)溫范圍 | TJ | -55~150 | °С |
| 貯存溫度范圍 | TSTG | -55~150 | °С |
| 熱阻-結(jié)到外殼 | Rthj-c | 1.7 | °C/W |
| 熱阻-結(jié)到環(huán)境 | Rthj-a | 62.5 | °C/W |
(參數(shù)表(如上)：絕對(duì)最大額定參數(shù)與電氣特性等)
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