如何用雙向可控硅觸發(fā)電路的原理圖介紹

當(dāng)觸發(fā)器件所需的柵極電流高于控制電路輸出電流能力時(shí)，必須放大控制電路輸出電流。例如，如今許多 MCU 的輸出引腳的電流能力約為 30 mA。

借助 IGT，他們可以安全地切換高達(dá) 15 至 20 mA 的雙向可控硅。如果具有 35 或 50 mA IGT 的 Triac 必須由此類 MCU 控制，則以下是兩種解決方案。

首先，并聯(lián)使用多個(gè) MCU 輸出引腳（最好是在每個(gè)輸出引腳和 Triac 柵極之間使用單獨(dú)的柵極電阻，以確保每個(gè)引腳之間良好的電流重新分配）。其次，使用如下示意圖所示的雙極晶體管。

對(duì)于雙極解決方案，唯一的方法是使用 PNP 晶體管來保持柵極電流。為了將其驅(qū)動(dòng)參考設(shè)置為穩(wěn)定的偏置，必須使用 PNP 晶體管，在本例中即為電源 (Vdd)。

這是正電源拓?fù)涞牧硪粋€(gè)缺點(diǎn)。必須使用PNP晶體管代替NPN晶體管來放大控制電路輸出電流。與 NPN 晶體管相比，PNP 晶體管的電流增益較低，但價(jià)格較高。

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