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來源：壹芯微 發(fā)布日期
2021-07-10 瀏覽：-SI2302 SOT-23參數(shù)和中文資料 - 場效應(yīng)MOS管 - 壹芯微
N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管
品牌：壹芯微|類型：場效應(yīng)管|封裝：SOT-23|批號：21+|備注：全新國產(chǎn) 質(zhì)量放心 免費(fèi)樣品 歡迎咨詢
| 參數(shù)\型號 | SI2302 | ||
| 極性 | N | ||
| ID(A) | 2.5 | ||
| VDSS(V) | 20 | ||
| RDS(ON):Max(Ω) | 0.06 | ||
| RDS(ON):VGS(Ω) | 4.5 | ||
| VGS(th):(V) | 0.65~1.2 | ||
| Gfs(min):(S) | 8 | ||
| Gfs(min):Vgs(V) | 5 | ||
| Gfs(min):Io(A) | 2.5 | ||
| 封裝 | SOT-23 |
工作原理
結(jié)型場效應(yīng)三極管的結(jié)構(gòu)與絕緣柵場效應(yīng)三極管相似，工作機(jī)理也相同。結(jié)型場效應(yīng)三極管的結(jié)構(gòu)如圖所示，它是在N型半導(dǎo)體硅片的兩側(cè)各制造一個PN結(jié)，形成兩個PN結(jié)夾著一個N型溝道的結(jié)構(gòu)。兩個P區(qū)即為柵極，N型硅的一端是漏極，另一端是源極。
N溝道JFET當(dāng)VDS=0時， VGS對溝道寬度的影響，當(dāng)PN結(jié) 反向偏置時，阻擋層寬度增大，主要向低摻雜N區(qū)擴(kuò)展。當(dāng)VDS=0時，VGS越負(fù)，響應(yīng)的阻擋層越寬，溝道就窄，溝道的導(dǎo)電能力就越差，直到VGS=VGS(off)時，兩側(cè)阻擋層相遇，溝道消失。
壹芯微——優(yōu)質(zhì)國產(chǎn)功率半導(dǎo)體品牌，主要生產(chǎn)各式二極管、三極管、Mos管、晶體管、橋堆等電子器件 產(chǎn)品均通過歐盟各大管理體系認(rèn)證，高質(zhì)量，高標(biāo)準(zhǔn)，型號齊全，研發(fā)技術(shù)與芯片源自臺灣，完美替代進(jìn)口品牌，頁面右側(cè)可選擇銷售業(yè)務(wù)或工程師立即咨詢
【本文標(biāo)簽】：SI2302 SI2302 SOT-23 SI2302 MOS管 SI2302場效應(yīng)管
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