SI2301 SOT-23參數(shù)和中文資料 - 場(chǎng)效應(yīng)MOS管 - 壹芯微

SI2301（P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管）

品牌：壹芯微|類(lèi)型：場(chǎng)效應(yīng)管|封裝：SOT-23|批號(hào)：21+|備注：全新國(guó)產(chǎn) 優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨 質(zhì)量放心 高性價(jià)比

進(jìn)一步增加VGS，當(dāng)VGS＞VGS(th)時(shí)（ VGS(th) 稱(chēng)為開(kāi)啟電壓），由于此時(shí)的柵極電壓已經(jīng)比較強(qiáng)，在靠近柵極下方的P型半導(dǎo)體表層中聚集較多的電子，可以形成溝道，將漏極和源極溝通。如果此時(shí)加有漏源電壓，就可以形成漏極電流ID。在柵極下方形成的導(dǎo)電溝道中的電子，因與P型半導(dǎo)體的載流子空穴極性相反，故稱(chēng)為反型層（inversion layer）。隨著VGS的繼續(xù)增加，ID將不斷增加。在VGS=0V時(shí)ID=0，只有當(dāng)VGS＞VGS(th)后才會(huì)出現(xiàn)漏極電流，這種MOS管稱(chēng)為增強(qiáng)型MOS管。

轉(zhuǎn)移特性曲線的斜率gm的大小反映了柵源電壓對(duì)漏極電流的控制作用。 gm 的量綱為mA/V，所以gm也稱(chēng)為跨導(dǎo)。

跨導(dǎo)的定義式如下： gm=ID VGS(單位mS)VDS=const

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