來源：壹芯微 發布日期
2021-07-09 瀏覽：-SI2300 SOT-23參數和中文資料 - 場效應MOS管 - 壹芯微
SI2300（N溝道增強型場效應晶體管）
品牌：壹芯微|類型：場效應管|封裝：SOT-23|批號：21+|備注：全新國產 優質現貨 質量放心 高性價比
| 參數\型號 | SI2300 | ||
| 極性 | N | ||
| ID(A) | 3.8 | ||
| VDSS(V) | 20 | ||
| RDS(ON):Max(Ω) | 0.04 | ||
| RDS(ON):VGS(Ω) | 4.5 | ||
| VGS(th):(V) | 0.6~1.5 | ||
| Gfs(min):(S) | 13 | ||
| Gfs(min):Vgs(V) | 15 | ||
| Gfs(min):Io(A) | 2.9 | ||
| 封裝 | SOT-23 |
增強型MOS(EMOS)場效應管根據圖，N溝道增強型MOSFET基本上是一種左右對稱的拓撲結構，它是在P型半導體上生成一層SiO2 薄膜絕緣層，然后用光刻工藝擴散兩個高摻雜的N型區，從N型區引出電極，一個是漏極D，一個是源極S。在源極和漏極之間的絕緣層上鍍一層金屬鋁作為柵極G。P型半導體稱為襯底，用符號B表示。
工作原理
溝道形成原理
當VGS=0 V時，漏源之間相當兩個背靠背的二極管，在D、S之間加上電壓不會在D、S間形成電流。當柵極加有電壓時，若0＜VGS＜VGS(th)時，通過柵極和襯底間的電容作用，將靠近柵極下方的P型半導體中的空穴向下方排斥，出現了一薄層負離子的耗盡層。耗盡層中的少子將向表層運動，但數量有限，不足以形成溝道，所以仍然不足以形成漏極電流ID。
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