SiC功率元器件中產(chǎn)生的浪涌怎么應(yīng)對(duì)介紹

浪涌抑制電路

SiC功率元器件中柵極-源極電壓（VGS）的正浪涌在開關(guān)側(cè)和非開關(guān)側(cè)均有發(fā)生，但是尤其會(huì)造成問題的是在LS（低邊）導(dǎo)通時(shí)的非開關(guān)側(cè)（HS：高邊）的事件（II）。右側(cè)的波形圖與上一篇中給出的波形圖相同。

其原因是開關(guān)側(cè)已經(jīng)處于導(dǎo)通狀態(tài)，因此，當(dāng)非開關(guān)側(cè)的正浪涌電壓超過(guò)SiC MOSFET的柵極閾值電壓（VGS(th)）時(shí)，HS和LS會(huì)同時(shí)導(dǎo)通并流過(guò)直通電流。

只是由于SiC MOSFET的跨導(dǎo)比Si MOSFET的跨導(dǎo)小一個(gè)數(shù)量級(jí)以上，因此不會(huì)立即流過(guò)過(guò)大的直通電流。所以即使流過(guò)了直通電流，也具有足夠的冷卻能力，只要不超過(guò)MOSFET的Tj(max)，基本上沒有問題。然而，直通電流畢竟是降低系統(tǒng)整體效率的直接因素，肯定不是希望出現(xiàn)的狀態(tài)，因此就有必要增加用來(lái)來(lái)抑制浪涌電壓的電路，以更大程度地確保浪涌電壓不超過(guò)SiC MOSFET的VGS(th)。

抑制電路的示例如下。這些電路圖是在SiC MOSFET的普通驅(qū)動(dòng)電路中增加了浪涌抑制電路后的電路示例。抑制電路（a）是使用關(guān)斷用的驅(qū)動(dòng)電源VEE2時(shí)的電路，而抑制電路（b）是不使用VEE2的示例。在這兩個(gè)電路中，VCC2都是導(dǎo)通用的驅(qū)動(dòng)電源，OUT1是SiC MOSFET的導(dǎo)通/關(guān)斷信號(hào)，OUT2是鏡像鉗位 控制信號(hào)，GND2是驅(qū)動(dòng)電路的GND。

另外，下表中列出了所添加的抑制電路的功能。添加了上面電路圖中紅色標(biāo)記的部件。

由于D2和D3通常會(huì)吸收數(shù)十ns的脈沖，因此需要盡可能將其鉗制在低電壓狀態(tài) ，為此通常使用肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）。另外，選擇SOD-323FL等底部電極型低阻抗封裝產(chǎn)品效果更好。

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