一、原因分析

MOS管因其高輸入電阻和極小的柵-源間電容，對(duì)外界電磁干擾或靜電極為敏感。即便極少的電荷積累也能在其間產(chǎn)生高電壓，極易導(dǎo)致器件損壞。盡管存在抗靜電設(shè)計(jì)，但在處理、存儲(chǔ)和運(yùn)輸時(shí)，仍需采取嚴(yán)格的防護(hù)措施，例如利用金屬或?qū)щ姴牧线M(jìn)行封裝，避免放置在易產(chǎn)生靜電的環(huán)境中。

二、靜電擊穿的主要形式

靜電對(duì)MOS管的損害主要表現(xiàn)為電壓型擊穿和功率型擊穿。電壓型擊穿通常由柵極氧化層針孔造成短路，而功率型擊穿則是由于金屬化膜的熔斷導(dǎo)致開路。當(dāng)前的VMOS管因引入二極管防護(hù)而顯著提高了耐靜電擊穿能力。

三、靜電的基本特性及其危害

靜電的三大特性—吸引或排斥力、存在電場(chǎng)、產(chǎn)生放電電流，均可對(duì)電子元件產(chǎn)生不利影響。這包括灰塵吸附、絕緣層和導(dǎo)體損壞，以及由于過熱引起的元件受損。雖然完全損壞的元件可在初期篩除，輕微損傷的元件在后續(xù)處理或使用過程中才可能顯現(xiàn)，這對(duì)檢測(cè)和維護(hù)帶來挑戰(zhàn)。

四、電子產(chǎn)品生產(chǎn)中的靜電防護(hù)

在電子產(chǎn)品的生產(chǎn)、裝配、包裝和運(yùn)輸?shù)娜^程中，靜電均是一個(gè)潛在的威脅。特別是在器件的物流和運(yùn)輸階段，更需注意防護(hù)措施，以防靜電由于外部電場(chǎng)的影響而產(chǎn)生破壞。

五、MOS電路的特定防護(hù)措施

MOS電路在遇到潛在的高瞬態(tài)輸入電流時(shí)，僅靠保護(hù)二極管可能不夠，此時(shí)應(yīng)增加輸入保護(hù)電阻。在焊接過程中，確保工具接地至關(guān)重要，以防電烙鐵引發(fā)的漏電現(xiàn)象。此外，給柵極配置下拉電阻可有效減少外部干擾，保護(hù)器件不受誤動(dòng)作的風(fēng)險(xiǎn)。