命名自發明者肖特基博士（Schottky）的肖特基二極管，區別于傳統二極管那種通過P型與N型半導體接觸的構造，其由金屬與半導體的結合部形成。該二極管的主要優勢之一是其較低的正向導通電壓，通常在0.15到0.5伏特之間，這樣的低導通壓降極大提升了電力系統的運行效率。

此外，肖特基二極管的另一突出特點是其極快的反向恢復速度，一般在納秒級別。因此，它特別適用于高頻和大電流的整流場合，常見于低電壓續流二極管和保護二極管等應用。肖特基二極管在從導通狀態到截止狀態的轉換并非瞬時完成，而是需要經過一個明顯的反向恢復階段。

在0至t1的時間段內，若對肖特基二極管施加正向VF電壓，二極管則處于導通狀態，其導通電流IF = (VF-VD)/RL，VD為二極管的導通電壓。過了t1時刻，電壓V1從VF切換到-VR，雖然理論上二極管應該立即停止導電，實際上會觸發一個較大的反向電流IR = VR/RL。這一反向電流持續的時間為存儲時間Ts，隨后電流逐步減少至近乎零，這一段時間稱為過渡時間Tt，此刻二極管方才進入真正的反向截止狀態。

總的來說，存儲時間Ts加上過渡時間Tt共同組成了肖特基二極管的反向恢復時間。這一恢復過程限制了二極管的切換速度，但也是肖特基勢壘二極管（SBD）在高效率電力應用中不可或缺的一個特性。