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        推挽輸出電路中電平高低解析

        返回列表來源:壹芯微 發布日期 2024-03-28 瀏覽:-

        推挽輸出電路中電平高與低解析

        推挽電路(push-pull)就是兩個不同極性晶體管間連接的輸出電路。它采用兩個參數相同的功率BJT管或MOSFET管,以推挽方式存在于電路中,各負責正負半周的波形放大任務。電路工作時,兩只對稱的功率開關管每次只有一個導通,所以導通損耗小,效率高。推挽輸出既可以向負載灌電流,也可以從負載抽取電流。

        在電路設計中,推挽輸出是一種很常用的輸出模式,具有很多優點,如更低的損耗、更安全的輸出等。“推挽”之意,即為當一個管子推出去時,另一個管子拉回來。輸入不同,交替導通。例如,當輸入信號為高電平的時候,上面的管子導通,下面的管子截止,輸出信號為高電平;當輸入信號為低電平的時候,上面的管子截止,下面的管子導通,輸出信號為低電平。

        推挽結構一般是指兩個三極管分別受兩互補信號的控制,總是在一個三極管導通的時候另一個截止。要實現線與需要用OC(open collector)門電路。推挽電路適用于低電壓大電流的場合,廣泛應用于功放電路和開關電源中。

        推挽輸出高電平

        在推挽輸出模式下,一個晶體管用于提供高電平輸出,而另一個晶體管則用于提供低電平輸出。當內部輸出為1電平時,上邊的晶體管(如MOS管)導通,同時下邊的晶體管截止,這時輸出高電平。

        推挽輸出的高電平電壓值取決于電路設計和應用環境。在某些情況下,推挽輸出的高電平可能接近電源電壓,例如3.3伏或5伏。然而,實際的電壓值可能會受到多種因素的影響,包括晶體管的導通壓降、電源電壓的穩定性以及負載的阻抗等。

        在推挽輸出模式下,P-MOS管和N-MOS管同時工作,通過對兩個MOS管的導通控制,實現控制輸出高低電平,如圖所示:
        1.png

        因此,要了解推挽輸出的具體高電平值,需要參考相關的電路設計文檔或應用手冊,或者通過實際測量來確定。此外,推挽輸出通常與數字信號相配合,其中邏輯高電平(通常為Vcc)與一個晶體管連接,邏輯低電平(通常為地)與另一個晶體管連接。

        推挽輸出低電平

        在推挽輸出模式下,GPIO口是可以直接輸出高低電平的,不需要額外的上來或下拉輔助電路,如圖所示:
        2.png

        推挽輸出電路中的低電平通常是由另一個晶體管(如MOS管)在截止狀態時提供的。在這種情況下,輸出端會被拉向低電平,通常是地(GND)或接近地的電壓。

        當推挽輸出電路中的內部信號為0時,控制低電平輸出的晶體管會導通,而控制高電平輸出的晶體管會截止。這樣,電流會通過導通的晶體管流向地,從而將輸出端拉至低電平。

        低電平的電壓值通常接近地電平(0V),但具體的電壓值也會受到多種因素的影響,如晶體管的截止電壓、電源電壓的穩定性以及負載的阻抗等。

        推挽輸出電路中的低電平并不是由電源直接提供的,而是通過晶體管的截止狀態來實現的。因此,低電平的電壓值可能會受到晶體管性能和電路設計的影響。

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