〔壹芯〕生產20N03場效應管20A-30V,參數達標,質量穩定

場效應管(MOSFETS)

型號：20N03　　　　　　　極性：N

IDA(A)：20　　　　　　　VDSS(V)：30

RDS(on)　MAX(Ω)：0.02　VGS(V)：10 

VGS(th)　(V)：1~3

Gfs(min)　(S)：25　Vgs(V)：10　Io(A)：10

封裝：TO-252

電力場效應晶體管的基本結構和工作原理

為了說明MOSFET的結構特點與工作原理，首先要說明場效應器件的基本結構。由于輸出電流是由柵極通過金屬氧化膜半導體系統進行控制的，所以這種結構稱為MOS結構。在MOSFET中只有一種載流子（N溝道時是電子，P溝道時是空穴）從源極S出發經漏極D流出。圖1.2示出了MOSFET的模擬結構，在柵-源極電壓Uis=0時，漏極與源極間的PN結狀態與普通二極管一樣，為反向偏置狀態，此時即使在漏-源極之間施加電壓，也不會造成P區內載流子的移動，即器件保持關斷狀態。我們把這種正常關斷型的MOSFET成為增強型。

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