〔壹芯〕生產(chǎn)70N03場效應(yīng)管70A-30V,參數(shù)達(dá)標(biāo),質(zhì)量穩(wěn)定

場效應(yīng)管(MOSFETS)

型號：70N03　　　　　　　極性：N

IDA(A)：70　　　　　　　VDSS(V)：30

RDS(on)　MAX(Ω)：0.0085　VGS(V)：10 

VGS(th)　(V)：1~3

Gfs(min)　(S)：31　Vgs(V)：10　Io(A)：15

封裝：TO-252

MOSFET的模擬結(jié)構(gòu)

如果在柵極G與源極S之間加正向電壓（U_GS>0），就會在柵極下面的硅表面出現(xiàn)耗盡區(qū)，接著就出現(xiàn)了負(fù)電荷（電子），硅的表面從P型反型成N型，如圖1.2（b）所示，此時電子從源極移動到漏極形成漏極電流i_D，我們把導(dǎo)電的反型層稱作溝道。如果在柵極與源極之間加反向電壓（U_GS<0），則與上述情況相反，在柵極下面的硅表面上因感應(yīng)產(chǎn)生空穴，故沒有i_D電流流過，如圖1.2（c）所示。

從圖1.1中可以看出，傳統(tǒng)的MOSFET結(jié)構(gòu)是把源極、柵極及漏極安裝在硅片的同一側(cè)面上，因而MOSFET中的電流是橫向流動的，電流容量不可能太大。要想獲得大的功率處理能力，必須有很高的溝道長寬比（W/L），而溝道長度L受基板和光刻工藝的限制不可能做得很小，所以只能增加管芯面積，這顯然是不經(jīng)濟(jì)的，甚至是難以實現(xiàn)的。

根據(jù)載流子的性質(zhì)，MOSFET可分為N溝道和P溝道兩種類型，它們的電路圖形符號分別如圖1.3（a）與（b）所示，圖中箭頭表示載流子移動的方向。圖1.3（a）表示N溝道，電子流出源極；圖1.3（b）表示P溝道，空穴流出源極。

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