〔壹芯〕生產(chǎn)100N03場(chǎng)效應(yīng)管100A-30V,參數(shù)達(dá)標(biāo),質(zhì)量穩(wěn)定

場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFETS)

型號(hào)：100N03　　　　　　　極性：N

IDA(A)：100　　　　　　　VDSS(V)：30

RDS(on)　MAX(Ω)：0.0042　VGS(V)：10 

VGS(th)　(V)：1~3

Gfs(min)　(S)：40　Vgs(V)：10　Io(A)：30

封裝：TO-220 TO-252

圖(l.3)N溝道和P溝道MOSFET的圖形符號(hào)

電力MOSFET研究的目的主要是解決MOS器件的大電流、高電壓?jiǎn)栴}，以提高其功率處理能力。它既要保持MOS器件場(chǎng)控的優(yōu)點(diǎn)，又要吸收GTR的長(zhǎng)處，因此其關(guān)鍵是如何既保留溝道又能實(shí)現(xiàn)垂直導(dǎo)電。由垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)組成的場(chǎng)控晶體管稱為VMOSFET（Vertical MOSFET），VMOSFET在傳統(tǒng)的MOS器件基礎(chǔ)上做了下述三項(xiàng)重大改進(jìn)：

①垂直地安裝漏極，實(shí)現(xiàn)了垂直傳導(dǎo)電流，將在原MOS結(jié)構(gòu)中與源極和柵極同時(shí)水平安裝在硅片頂部的漏極改裝在硅片的底面上，這樣充分利用了硅片面積，基本上實(shí)現(xiàn)了垂直傳導(dǎo)漏-源極電流，降低了串聯(lián)電阻值，為獲得大電流容量提供了前提條件。

②模仿GTR設(shè)置了高電阻率的N^-移區(qū)，不僅提高了器件的耐壓容量，而且降低了結(jié)電容，并使溝道長(zhǎng)度穩(wěn)定。

③采用雙重?cái)U(kuò)散技術(shù)替代光刻工藝控制溝道長(zhǎng)度，可以實(shí)現(xiàn)精確的短溝道，降低溝道電阻值，提高了工作頻率，并使輸出特性具有良好的線性。

根據(jù)結(jié)構(gòu)形式的不同，VMOSFET又分為VVMOSFET和VDMOSFET兩種基本類型。

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