〔壹芯〕生產(chǎn)120N03場效應(yīng)管120A-30V,參數(shù)達(dá)標(biāo),質(zhì)量穩(wěn)定

場效應(yīng)管(MOSFETS)

型號：120N03　　　　　　極性：N

IDA(A)：120　　　　　　　VDSS(V)：30

RDS(on)　MAX(Ω)：0.0038　VGS(V)：10 

VGS(th)　(V)：1~3

Gfs(min)　(S)：48　Vgs(V)：10　Io(A)：40

封裝：TO-220 TO-252

VVMOSFET的科普知識

根據(jù)結(jié)構(gòu)形式的不同，VMOSFET分為VVMOSFET和VDMOSFET兩種基本類型。

VVMOSFET結(jié)構(gòu)形式是美國雷達(dá)半導(dǎo)體公司在1975年首先提出的，其結(jié)構(gòu)如圖1.4所示，它是在N⁺型高摻雜濃度的硅片墊底上外延生長N_-型漂移區(qū)，在N高阻漂移區(qū)內(nèi)選擇地?cái)U(kuò)散出P型溝道體區(qū)，再在P型溝道體區(qū)內(nèi)選擇地?cái)U(kuò)散N⁺源區(qū)。

利用各向異性腐蝕技術(shù)刻蝕出V形槽，槽底貫穿過P型體區(qū)。在V形槽的槽壁處形成金屬-氧化膜-半導(dǎo)體系統(tǒng)。N⁺型和N^-型區(qū)共同組成器件的漏區(qū)，漏區(qū)與體區(qū)的交界面是漏區(qū)PN結(jié)。體區(qū)與源區(qū)的交界面是源區(qū)PN結(jié)。由于源區(qū)和體區(qū)總是被短路在一起由源極引線引出，因此源區(qū)PN結(jié)處于零偏置狀態(tài)，而漏區(qū)PN結(jié)處于反向偏置狀態(tài)。

當(dāng)柵極上加以適當(dāng)?shù)碾妷簳r(shí)，由于表面電場效應(yīng)，就會在P型體區(qū)靠近V形槽壁的表面附近形成N型反型層，成為溝通源區(qū)和漏區(qū)的導(dǎo)電溝道。這樣電流從N⁺區(qū)源極出發(fā)，經(jīng)過溝道流到N^-漂移區(qū)，然后垂直地流到漏極，首次改變了MOSFET電流沿表面水平方向流動的傳統(tǒng)概念，實(shí)現(xiàn)了垂直導(dǎo)電。

這一從橫到縱、從水平到垂直的改變是MOS功率器件的重大突破。這一突破，為解決大電流技術(shù)難題奠定了基礎(chǔ)。從結(jié)構(gòu)上說，由于漏極是裝在硅片襯底上的，因此不僅充分利用了硅片面積，而且實(shí)現(xiàn)了垂直傳導(dǎo)電流，可以獲得大的電流容量。

在器件中間設(shè)置的N^-型高阻漂移區(qū)，不僅提高了耐壓，還減少了柵電容。雙重?cái)U(kuò)散技術(shù)精確地控制了短溝道，從而使溝道電阻值降低，使VVMOS-FET的工作頻率和開關(guān)速度大為提高。在芯片背面安裝漏極可以做到高度集成化，但是V形槽溝道的底部容易引起電場集中，故繼續(xù)提高耐壓能力有困難，為此又將槽底改為平的，這種結(jié)構(gòu)則稱為V形槽MOSFET。

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