〔壹芯〕生產80N07場效應管80A-70V,參數達標,質量穩定

場效應管(MOSFETS)

型號：80N03　　　　　　　極性：N

IDA(A)：80　　　　　　　VDSS(V)：70

RDS(on)　MAX(Ω)：0.0085　VGS(V)：10 

VGS(th)　(V)：2~4

Gfs(min)　(S)：60　Vgs(V)：20　Io(A)：40

封裝：TO-220 TO-252

VDMOSFET的知識科普

垂直導電的雙擴散MOS結構稱為VDMOSFET，其典型結構如圖1.5所示。

溝道部分是由同一擴散窗利用兩次擴散形成的P型體區和N⁺型源區的擴散深度差形成的，溝道長度可以精確控制。電流在溝道內沿表面流動，然后垂直地被漏極吸收。由于漏極也是從硅片底部引出，所以可以高度集成化。漏-源極間施加電壓后，由于耗盡層的擴散使柵極下的MOSFET部分幾乎保持在一定的電壓下，因此可使耐壓提高。

在這種結構的基礎上，VDMOSFET在高集成度、高耐壓、低反饋電容和高速性能方面不斷改進提高，出現了諸如TMOS、HEXFET、SIP-MOS、Ω-MOS等一大批結構各異的新器件。它們采用新的結構圖形把成千上萬個MOS-FET單元并聯連接，實現了大電流化。

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