〔壹芯〕生產IRF3205場效應管110A-55V,參數達標,質量穩定

場效應管(MOSFETS)

型號：IRF3205　　　　　　　極性：N

IDA(A)：110　　　　　　　VDSS(V)：55

RDS(on)　MAX(Ω)：0.008　VGS(V)：10 

VGS(th)　(V)：2~4

Gfs(min)　(S)：44　Vgs(V)：25　Io(A)：62

封裝：TO-220

知識科普

電力場效應晶體管的基本特性

1.輸出特性i_D=（u_DS）

在N溝道增強型VMOSFET中，當柵-源極電壓u_GS為負值時，柵極下面的P型區呈現空穴的堆積狀態，不可能出現反型層，無法溝通源區與漏區。即使柵-源極電壓為正，但數值不夠大時柵極下面的P型體區表面呈現耗盡狀態，也不會出現反型層，同樣無法溝通源區與漏區。

在這兩種狀態下VMOSFET都處于截止狀態，即使加以漏極電壓u_DS，也沒有漏極電流i_D出現。

只有當柵-源極間電壓u_GS達到或超過強反型條件時，柵極下的P型體區表面才會發生反型，形成N型表面層并把源區和漏區聯系起來，使VMOSFET進入導通狀態。柵-源極電壓u_GS越大，反型層越厚（即溝道越寬），則漏極電流越大。

可見漏極電流i_D受柵-源極電壓u_GS的控制，以柵-源極電壓u_GS為參變量反映漏極電流i_D與漏-源極間電壓u_DS間關系的曲線族稱為VMOSFET的輸出特性，如圖1.6所示。輸出特性分為三個區域，可調電阻區I、飽和區Ⅱ和雪崩區Ⅲ。

在可調電阻區I，器件的電阻值是變化的。因為一定的柵-源極電壓對應一定的溝道，由于溝道已經形成，只要有很小的漏-源極電壓u_DS，就可以流過一定的漏極電流i_D。由于漏-源極電壓較小，它對溝道的影響可以忽略不計，這樣溝道寬度和溝道電子的遷移率幾乎不變，所以i_D與n_DS幾乎呈線性關系。

圖l.6 VMOSFET的輸出特性iD=f（u_DS）

當u_DS較大后，情況有所不同：一方面隨著u_DS的增加，靠近漏區一端的溝道要逐漸變窄；另一方面溝道電子將達到散射極限，速度不繼續增加。于是，盡管u_DS繼續增加，但i_D增加緩慢，使溝道的有效阻值逐漸增加，直至靠近漏區一端的溝道被夾斷或溝道電子達到散射極限速度，才能使溝道電子的運動擺脫溝道電場的影響，開始進入飽和區Ⅱ。此后漏極電流i_D趨于穩定不變，即特性曲線趨于與橫軸平行。

如以后繼續增大漏-源極電壓，當漏極PN結發生雪崩擊穿時，漏極電流i_D突然劇增，曲線再次轉折進入雪崩區皿，直至器件損壞，在應用中應避免這種情況出現。

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