〔壹芯〕生產2N60場效應管2A-600V,參數達標,質量穩定

場效應管(MOSFETS)

型號：2N60　　　　　　　極性：N

IDA(A)：2　　　　　　　VDSS(V)：600

RDS(on)　MAX(Ω)：4.5　VGS(V)：10 

VGS(th)　(V)：2~4

Gfs(min)　(S)：1.9　Vgs(V)：40　Io(A)：1.0

封裝：TO-252 TO-220

場效應管(FET)是利用輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件。

由于它僅靠半導體中的多數載流子導電，又稱為單極型晶體管。場效應管不但具備雙極型晶木管體積小、質量小、壽命長等特點，而且輸入回路的內阻高達107~10°g2，噪聲低、熱穩定性好、抗輻射能力強，而且比雙極型晶體管省電，這些優點使其從20世紀60年代誕生起就廣泛地應用于各種電子電路中。

雖然場效應管優點很多、應用廣泛，但不能說現在普及的雙極型晶體管都可以用場效應管替代。場效應管分為結型和絕緣柵型兩種不同的結構（見圖5-16）。結型場效應管(JET)因有兩個PN結而得名，絕緣柵型場效應管(JGFET)則因柵極與其他電極完全絕緣而得名。

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