〔壹芯〕生產(chǎn)4N60場效應(yīng)管4A-600V,參數(shù)達(dá)標(biāo),質(zhì)量穩(wěn)定

場效應(yīng)管(MOSFETS)

型號(hào)：4N60　　　　　　　極性：N

IDA(A)：4　　　　　　　VDSS(V)：600

RDS(on)　MAX(Ω)：2.5　VGS(V)：10 

VGS(th)　(V)：2~4

Gfs(min)　(S)：3.6　Vgs(V)：40　Io(A)：2.0

封裝：TO-252 TO-220

簡單概括場效應(yīng)管工作原理，就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的I_D，是由門極與溝道間的PN結(jié)形成的反偏的門極電壓控制”。更準(zhǔn)確地說，I_D流經(jīng)通路的寬度，即溝道截面積，它是由PN結(jié)反偏的變化，產(chǎn)生耗盡層擴(kuò)展變化控制的緣故。在V_GS=0的非飽和區(qū)域，圖5-17（a）

表示的過渡層的擴(kuò)展因?yàn)椴缓艽螅鶕?jù)漏極-源極間所加V_DS的電場，源極區(qū)域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流流動(dòng)。達(dá)到飽和區(qū)域如圖5-17（a）所示，從門極向漏極擴(kuò)展的過渡層將溝道的一部分構(gòu)成堵塞型，飽和，將這種狀態(tài)稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋，并不是電流被切斷。在過渡層由于沒有電子、空穴的自由移動(dòng)，在理想狀態(tài)下幾乎具有絕緣特性，通常電流也難流動(dòng)。

但是此時(shí)漏極-源極間的電場，實(shí)際上是兩個(gè)過渡層接觸漏極與門極下部附近，由于漂移電場拉去的高速電子通過過渡層。如圖5-17（b）所示，即便再增加V，因漂移電場的強(qiáng)度幾乎不變，產(chǎn)生I_D的飽和現(xiàn)象。其次，如圖5-17（c）所示，V_GS向負(fù)的方向變化，讓VGS=V_GS(off)，此時(shí)過渡層大致成為覆蓋全區(qū)域的狀態(tài)。而且V_DS的電場大部分加到過渡層上，將電子拉向漂移方向的電場，只有靠近源極很小的部分，這更使電流不能流通。

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