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            當前位置：首頁 » 全站搜索 » 搜索： 傳導損耗
        
        
        
            
        
                
        
                    
                    
                            
        
                                
        [常見問題解答]通過MPS SiC二極管優化高頻開關電源效率與降低損耗[
                                        2025-02-10 12:08
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                                    在高頻開關電源的設計中，效率和損耗的優化一直是工程師們關注的重點問題。隨著電源技術的不斷進步，采用合適的元器件已經成為提高整體性能的關鍵。MPS SiC二極管作為一種新型的半導體器件，憑借其獨特的性能優勢，已逐漸在高頻開關電源中得到了廣泛應用。一、高頻開關電源的挑戰高頻開關電源（SMPS）廣泛應用于各種電子設備中，其核心優勢在于高效率和小型化。然而，在開關模式電源的設計中，二極管作為關鍵的功率元件之一，在開關過程中產生的損耗對系統的整體效率產生了直接影響。尤其是在高頻操作時，二極管的開關損耗和傳導損耗成為主要的能源
        
                                
        
                                    
                                        http://m.kannic.com/Article/tgmpssicej_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]實用指南：步步詳解如何搭建自己的隔離式半橋柵極驅動器系統[
                                        2024-05-25 10:11
                                        ]
        
                                
        
                                    一、引言在電力電子領域中，隔離式半橋柵極驅動器扮演著至關重要的角色。它能有效控制高端和低端N溝道MOSFET（或IGBT）的柵極，實現對輸出功率的精確調節。設計上的關鍵在于確保驅動器具備低輸出阻抗以減少傳導損耗，并且具備快速開關能力，以降低開關損耗。本文將深入研究隔離式半橋柵極驅動器的設計原理、實現方法以及所面臨的挑戰。二、隔離式半橋柵極驅動器的原理隔離式半橋柵極驅動器的核心原理在于通過光耦合器實現輸入信號與輸出驅動信號的電氣隔離，從而避免高端和低端驅動器之間的直接交互。采用相反極性的信號來驅動高端和低端N溝道MO
        
                                
        
                                    
                                        http://m.kannic.com/Article/syznbbxjrh_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]如何使電源實現更高的效率介紹[
                                        2023-05-31 17:39
                                        ]
        
                                
        
                                    如何使電源實現更高的效率介紹具體來說，大電流柵極驅動器可以通過最大限度地減少開關損耗來幫助提高整體系統效率。當 FET 開關或開啟和關閉時會發生開關損耗。要打開 FET，必須對柵極電容充電超過閾值電壓。柵極驅動器的驅動電流有利于柵極電容的充電。驅動電流能力越高，電容充電或放電的速度就越快。能夠提供和吸收大量電荷可以最大限度地減少功率損耗和失真。（傳導損耗是 FET 中另一種類型的開關損耗。傳導損耗由 FET 的內阻或 R DS(on) 定義，其中 。FET 在傳導電流時消耗功率。）換句話說，目標是在需要高頻電源轉換
        
                                
        
                                    
                                        http://m.kannic.com/Article/rhsdysxggd_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [行業資訊]FIR5N50LG,TO-252,中文參數,引腳圖,規格書 - 場效應MOS管 - 壹芯微[
                                        2021-12-25 13:52
                                        ]
        
                                
        
                                    FIR5N50BPG,LG硅N溝道增強型VDMOSFET，采用自對準平面技術獲得，可降低傳導損耗，提高開關性能并增強雪崩能量。 該晶體管可用于系統的各種電源開關電路小型化和更高的效率。 封裝形式為符合RoHS標準的TO-251。
        
                                
        
                                    
                                        http://m.kannic.com/Article/fir5n50lgt_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [行業資訊]NVD5862NT4G場效應管參數及代換,NVD5862NT4G中文資料規格書[
                                        2021-10-26 18:36
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                                    NVD5862NT4G場效應管參數及代換,NVD5862NT4G中文資料規格書NVD5862NT4G場效應管參數代換,NVD5862NT4G封裝引腳圖,NVD5862NT4G中文資料規格書NVD5862NT4G描述與特性汽車功率MOSFET。60V，98A，5.7mΩ，單N溝道，DPAK通過AEC-Q101認證的MOSFET，且符合生產件批準程序 (PPAP)，適用于汽車應用。• 低 RDS(on) 以最大限度地減少傳導損耗• 高電流能力• 指定雪崩能量• AEC-Q101
        
                                
        
                                    
                                        http://m.kannic.com/Article/nvd5862nt4g_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [行業資訊]NVD5862N(MOS場效應管) NVD5862N主要參數中文資料 - 壹芯微[
                                        2021-09-13 10:47
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                                    NVD5862N(MOS場效應管) NVD5862N主要參數中文資料 - 壹芯微NVD5862N場效應管主要參數 極性：N溝道；電壓(VDSS)：60V；電流(ID)：98A；封裝(Pageke)：TO-252；大芯片，高品質，原廠批量直銷，提供技術支持，免費送樣測試，替代原裝進口品牌型號• 60V 5.7mΩ @ 98A• 低 RDS(on)以最大限度地減少傳導損耗• 高電流能力• 指定雪崩能量• AEC-Q101認證和PPAP能力• 這些器件無鉛、無鹵
        
                                
        
                                    
                                        http://m.kannic.com/Article/nvd5862nmo_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [行業資訊]NVD5862NT4G 貼片TO-252 MOS管60V 98A N溝道[
                                        2021-09-10 15:40
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                                    NVD5862NT4G 貼片TO-252 MOS管60V 98A N溝道NVD5862NT4G(N溝道增強型場效應晶體管)；NVD5862NT4G場效應管參數；NVD5862NT4G場效應管封裝引腳圖；NVD5862NT4G場效應管中文資料規格書(PDF)；電流(ID)：98A，電壓(VDSS)：60V，封裝形式：TO252產品概要• 低RDS(on)以最大限度地減少傳導損耗• 高電流能力• 指定雪崩能量• AEC-Q101 認證和PPAP能力• 這些器件無鉛、無鹵
        
                                
        
                                    
                                        http://m.kannic.com/Article/nvd5862nt4_1.html3星
        
                            
        
                        
                    
                    
                    
                    
        
                    
        
                    
                    
                    
                    
                
        
            
        
        
        
        
        
            
        
        
        
        
        
        
    
        
    
    
    

        
    
        
        
        
        
        
            
        
                地 址/Address
        
            
        
                工廠地址：安徽省六安市金寨產業園區
                
        
                深圳辦事處地址：深圳市福田區寶華大廈A1428
        
                中山辦事處地址：中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
        
                杭州辦事處：杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
        
                電話：13534146615
                企業QQ：2881579535
            
        
        
        
        
        
            
        
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