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[常見問題解答]互補(bǔ)MOSFET脈沖變壓器驅(qū)動(dòng)電路常見問題及優(yōu)化對(duì)策[ 2025-04-11 12:23 ]

在開關(guān)電源、逆變器、功率變換器等電力電子領(lǐng)域，脈沖變壓器被廣泛應(yīng)用于MOSFET的隔離驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)。特別是在互補(bǔ)MOSFET的驅(qū)動(dòng)場景中，脈沖變壓器不僅承擔(dān)信號(hào)傳輸作用，同時(shí)還需要保證良好的驅(qū)動(dòng)波形和高速響應(yīng)。然而，實(shí)際電路設(shè)計(jì)中，脈沖變壓器驅(qū)動(dòng)互補(bǔ)MOSFET時(shí)，常常會(huì)遇到一些典型問題，影響電路的穩(wěn)定性和可靠性。一、常見問題分析1. 脈沖變壓器漏感過大脈沖變壓器繞制不合理或結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)不當(dāng)，容易導(dǎo)致漏感較大。漏感過大將直接影響驅(qū)動(dòng)波形的上升和下降速度，尤其在MOSFET開關(guān)頻率較高的應(yīng)用中，影響更為明顯，甚至?xí)?dǎo)致MOS

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[常見問題解答]單相全橋逆變電路的常見問題與解決方案[ 2024-12-26 12:04 ]

單相全橋逆變電路作為重要的功率變換器件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)和家用設(shè)備中。然而，在實(shí)際運(yùn)行中，經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)影響全橋逆變電路性能和穩(wěn)定性的問題及其解決方法。一、輸出波形失真1. 問題描述：單相全橋逆變電路可能會(huì)出現(xiàn)輸出波形失真，表現(xiàn)為波形非線性或存在明顯的諧波成分。這通常是由于缺乏控制精度或復(fù)雜的負(fù)載特性而發(fā)生的。2. 解決方案：1. 采用空間矢量脈寬調(diào)制等更精確的PWM控制技術(shù)，優(yōu)化控制算法，有效降低輸出波形的諧波失真。2. 增加濾波器電路的階數(shù)或改進(jìn)濾波器設(shè)計(jì)，以更有效地抑制高次諧波。3. 選擇與逆變器參數(shù)相匹配的負(fù)載，

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[常見問題解答]三相半波可控整流電路的自然換相點(diǎn)及其影響因素[ 2024-11-04 14:35 ]

在電力電子領(lǐng)域，三相半波可控整流電路是常見的功率變換器。它們的自然換相點(diǎn)是整流過程中的關(guān)鍵時(shí)刻，直接關(guān)系到整流效率和電流波形的質(zhì)量。了解自然換相這一點(diǎn)及其影響因素對(duì)于優(yōu)化整流電路的設(shè)計(jì)非常重要。一、自然換相點(diǎn)的定義自然換相點(diǎn)是三相半波可控整流電路中某一相電壓達(dá)到并超過相鄰相電壓的正半波交點(diǎn)。當(dāng)相鄰相電壓的正半波相交時(shí)，發(fā)生換相的時(shí)刻。此時(shí)原有導(dǎo)通的二極管或晶閘管被激活，例如當(dāng)A相電壓超過B相電壓交點(diǎn)時(shí)，A相導(dǎo)通的二極管會(huì)截止，導(dǎo)通自動(dòng)中斷。換相過程的自動(dòng)發(fā)生意味著此時(shí)不需要額外的控制信號(hào)，這使得三相整流電路相對(duì)易于

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[常見問題解答]如何用LLC電路實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)[ 2023-05-05 16:05 ]

如何用LLC電路實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)與傳統(tǒng)PWM（脈寬調(diào)節(jié)）變換器不同，LLC是一種通過控制開關(guān)頻率（頻率調(diào)節(jié)）來實(shí)現(xiàn)輸出電壓恒定的諧振電路。它的優(yōu)點(diǎn)是：實(shí)現(xiàn)原邊兩個(gè)主MOS開關(guān)的零電壓開通(ZVS)和副邊整流二極管的零電流關(guān)斷(ZCS)，通過軟開關(guān)技術(shù)，可以降低電源的開關(guān)損耗，提高功率變換器的效率和功率密度。學(xué)習(xí)并理解LLC，我們必須首先弄清楚以下兩個(gè)基本問題：1.什么是軟開關(guān)；2.LLC電路是如何實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)的。由于普通的拓?fù)潆娐返拈_關(guān)管是硬開關(guān)的，在導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)MOS管的Vds電壓和電流會(huì)產(chǎn)生交疊，電壓與電流交疊的區(qū)域即

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[常見問題解答]氮化鎵晶體管的并聯(lián)配置應(yīng)用介紹[ 2022-10-10 18:32 ]

引言在功率變換器應(yīng)用中，寬帶隙（WBG）技術(shù)日益成為傳統(tǒng)硅晶體管的替代產(chǎn)品。在某些細(xì)分市場的應(yīng)用場景中，提升效率極限一或兩個(gè)百分點(diǎn)依然關(guān)系重大，變換器功率密度的提高可以提供更多應(yīng)用優(yōu)勢(shì)，在這種情況下采用基于氮化鎵（GaN）晶體管的解決方案意義重大。與傳統(tǒng)硅器件相類似，GaN晶體管單位裸片面積同樣受實(shí)際生產(chǎn)工藝限制，單個(gè)器件的電流處理能力存在上限。為了增大輸出功率，并聯(lián)配置晶體管已成為設(shè)計(jì)工程師可以考慮的選項(xiàng)之一。應(yīng)用晶體管并聯(lián)技術(shù)在最大限度提升變換器輸出功率的同時(shí)，也帶來了電路設(shè)計(jì)層面的挑戰(zhàn)。并聯(lián)晶體管

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