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[常見問題解答]基于PMOS的電源防倒灌與反接保護電路設計[ 2025-03-13 15:06 ]

在電子電路設計中，電源保護是一個至關重要的環節，尤其是在防止電源倒灌和電源反接的問題上，合理的設計可以有效防止電路損壞，提高系統的可靠性。PMOS（P溝道MOSFET）因其結構特點和易于控制的特性，被廣泛用于高側開關及電源保護電路中。一、電源倒灌和反接的風險在電源管理電路中，常見的兩個問題是電源倒灌（Reverse Current）和電源反接（Reverse Polarity）。1. 電源倒灌：當電源輸入端（VCC）斷電，而負載端仍然帶有電壓（如電池或超級電容），可能導致電流從負載端反向流入電源端。這種情況不僅可能

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[技術文章]AO3415 典型應用電路[ 2024-04-27 14:53 ]

AO3415 是一種高效的P溝道MOSFET，其設計精良使其在眾多電子設備中擔任重要角色。以下是關于 AO3415 的應用場景和參數特點的進一步闡述：一、應用場景1. 移動設備：在智能手機和平板等移動設備中，AO3415 被廣泛用于電源管理系統。其優異的導電性能有助于延長設備的電池續航能力，同時確保設備在低功耗模式下的高效運行。2. 便攜式充電器： AO3415 在充電器設計中發揮關鍵作用，控制電流流向以優化充電效率和安全性，保障用戶設備的穩定充電。3. LED照明系統： AO3415 能夠有效控制LED燈具的電流

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[技術文章]AO3401A 典型應用電路[ 2024-04-24 16:40 ]

AO3401A 是一種常用的P溝道MOSFET，廣泛應用于電源管理、負載開關、電池保護和DC-DC轉換器等領域。這種器件以其高效率和低功耗而聞名，非常適用于需要增強電源效率和延長電池壽命的便攜式電子設備。AO3401A 的參數特點包括低門極電壓（Vgs），通常為-20V，以及較高的漏源電壓（Vds），最高可達-30V。此外，AO3401A 的漏電流極低，通常在微安級別，使得它非常適合用于低功耗應用。此外，這款MOSFET具有較低的導通阻抗，提高了設備的整體效率。在實際應用中，AO3401A 通常用于便攜式設備的電池

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[常見問題解答]MOS管場效應管漏極導通特性介紹[ 2023-11-29 18:36 ]

MOS場效應管一共幾種類型MOS場效應管，即金屬氧化物半導體場效應管，有以下幾種常見的類型：1. N溝道MOSFET（N-Channel MOSFET）：這是一種以N型溝道為特征的MOSFET。在這種器件中，溝道區域由N型材料構成，通過正向偏置來控制電流。2. P溝道MOSFET（P-Channel MOSFET）：這是一種以P型溝道為特征的MOSFET。在這種器件中，溝道區域由P型材料構成，通過負向偏置來控制電流。3. 增強型MOSFET（Enhancement-Mode MOSFET）：增強型MOSFET需要在

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[常見問題解答]場效應管的源極作用解析[ 2023-10-09 18:33 ]

場效應管的源極作用解析MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應管）是一種常見的半導體器件，其中源極是MOSFET的一個重要引腳。MOSFET的源極通常用于輸入信號和輸出負載電流。在N溝道MOSFET中，源極為P型區域，而在P溝道MOSFET中，源極為N型區域。在MOSFET的工作中，源極是控制柵極電場的參考點，它是連接到源極-漏極之間的電路，電流會從源極流入器件。通過改變柵極和源極之間的電壓，可以控制源極和漏極之間的電流流動。總之，MOSFET的源極是器件的一個重要引腳，它承擔著輸入信號和輸出負載電流的作用，在MOS

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[常見問題解答]電源敏感的電路中，電源IC如何選擇介紹[ 2022-11-28 18:00 ]

在電路設計時，常用的電源器件無外乎兩種，DC/DC和LDO。LDOLDO是一種低壓差線性穩壓器，或者叫低壓降器件，說明它一般用于需要降壓的場合，具有成本低，噪音低，靜態電流小等優點。它需要的外接元件也很少，通常只需要一兩個旁路電容。LDO線性穩壓器的性能之所以能夠達到這個水平，主要原因在于其中的調整管是用P溝道MOSFET。P溝道MOSFET是電壓驅動的，不需要電流，所以大大降低了器件本身消耗的電流。另外，P溝道MOSFET上的電壓降大致等于輸出電流與導通電阻的乘積。由于MOSFET的導通電阻很小，因而它上面的電壓

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[行業資訊]TPS22901YFPR中文資料PDF與引腳圖封裝[ 2022-02-14 16:16 ]

TPS22901YFPR中文資料PDF與引腳圖封裝描述TPS22901YFPR是一款小型低導通電阻(rON)負載開關，具有可控導通功能。該器件包含一個P溝道MOSFET，可在1.0至3.6V的輸入電壓范圍內工作。該開關由開/關輸入(ON)控制，可直接與低壓控制信號連接。TPS22901采用0.4mm間距、節省空間的4引腳DSBGA(YFP)封裝。該設備的特點是可在-40至85°C的自由空氣溫度范圍內運行。產品概述制造商德州儀器制造商產品編號TPS22901YFPR供應商德州儀器描述IC PWR 開關 P-C

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[行業資訊]TPS22901YFPR中文資料PDF與引腳圖封裝 - 壹芯微[ 2022-02-11 15:23 ]

TPS22901YFPR中文資料PDF與引腳圖封裝 - 壹芯微描述TPS22901YFPR是一款小型低導通電阻(rON)負載開關，具有可控導通功能。該器件包含一個P溝道MOSFET，可在1.0至3.6V的輸入電壓范圍內工作。該開關由開/關輸入(ON)控制，可直接與低壓控制信號連接。TPS22901采用0.4mm間距、節省空間的4引腳DSBGA(YFP)封裝。該設備的特點是可在-40至85°C的自由空氣溫度范圍內運行。產品概述制造商德州儀器制造商產品編號TPS22901YFPR供應商德州儀器描述IC PWR

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[常見問題解答]〔壹芯〕生產100N03場效應管100A-30V,參數達標,質量穩定[ 2021-06-08 11:53 ]

〔壹芯〕生產100N03場效應管100A-30V,參數達標,質量穩定場效應管(MOSFETS)型號：100N03　　　　　　　極性：NIDA(A)：100　　　　　　　VDSS(V)：30RDS(on)　MAX(Ω)：0.0042　VGS(V)：10 VGS(th)　(V)：1~3Gfs(min)　(S)：40　Vgs(V)：10　Io(A)：30封裝：TO-220 TO-252圖(l.3)N溝道和P溝道MOSFET的圖形符號電力MOSFET研究的目的主要是解決MOS器件的大電流、高電壓問題，以提高其功率

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[常見問題解答]場效應管放大電路圖解[ 2021-04-17 09:29 ]

場效應管放大電路圖解金屬-氧化物-半導體（MOS）場效應管N溝道增強型MOSFET柵源加電壓，在電場作用下產生溝道。產生溝道的門限開啟電壓VT。漏源加電壓，產生電壓梯度，導致溝道夾斷。預夾斷的臨界條件輸出特性特性方程可變電阻區飽和區N溝道耗盡型MOSFET柵源加負電壓，在電場作用下溝道減小。耗盡溝道的夾斷電壓VP。輸出特性P溝道MOSFET溝道長度調制效應理想情況下，MOSFET工作在飽和區時，漏極電流與漏源電壓無關。而實際上，漏源電壓對溝道長度L的調制作用，漏源電壓增加時，漏極電流會有所增加。因此，輸出特性公式需

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[常見問題解答]MOS管識別以及MOS管與IGBT管的辨別[ 2020-12-07 15:11 ]

MOS管識別以及MOS管與IGBT管的辨別MOSFET類型識別小結1）P溝道與N溝道的識別。MOS管識別，MOSFET在導通時，傳輸電流的層為P溝道的，則為P溝道MOSFET；傳輸電流的層為N溝道的，則為N溝道MOSFET。從原理圖中看的話，可以看圖上中漏極源極下方所示的為N型硅還是P型硅。從代表符號上來識別的話，則是可以看中間短線上的箭頭方向，向內則為N溝道，向外則為P溝道。（想象PN結的指向，P在箭尾，N在箭頭，靠近短線的則表明其屬性）2）耗盡型與增強型的識別。由于MOSFET的導電能力就是在導電溝道形成的時候

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[常見問題解答]用光耦合器驅動達林頓晶體管圖解[ 2020-07-16 17:05 ]

用光耦合器驅動達林頓晶體管圖解在本系列中，我已經說明了許多電路組合。在上面的示意圖中，我將TIP120達林頓功率晶體管用于高端（Vcc）開關。這樣做是因為很難在p溝道MOSFET上找到高電流，低電阻。我嘗試使用的2個p溝道MOSFET IRF9540和IRF6930過熱并且掉了很多電壓。它們設計用于高壓，低電流，高頻開關。兩者的抵抗力都很高。MOSFET的源極柵極電壓（Vgs）低，通常限制為20伏。這意味著如果沒有完整的電路返工，我將無法使用24伏，36伏或48伏電動機。注意：在此示例中，電機電壓必須與12伏邏輯電

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[常見問題解答]CMOS-互補MOSFET工作原理和優勢簡介[ 2020-04-21 14:39 ]

CMOS-互補MOSFET工作原理和優勢簡介CMOS-互補金屬氧化物半導體場效應晶體管簡介互補金屬氧化物半導體器件是其中P溝道和N溝道增強MOSFET以推挽式布置連接的芯片。CMOS的基本連接如圖所示。N溝道和P溝道CMOS連接上圖顯示了各種CMOS連接，尤其是N溝道和P溝道CMOS連接。在該電路中，兩個MOSFET（P溝道MOSFET和N溝道MOSFET）串聯連接，使P溝道器件的源極連接到正電源+VDD，并連接N溝道器件的源極到地面。兩個器件的柵極作為公共輸入連接，兩個器件的漏極端子作為公共輸出連接在一起。當輸入

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[常見問題解答]CMOS的柵極-雙極型晶體管-P溝道MOSFET[ 2019-09-18 11:33 ]

圖14.23(a)為- CMOS反相器，上方PMOS的柵極與下方NMOS的柵極相連，兩種器件皆為加強型MOSFET；對PMOS器件而言，閾值電壓VTn小于零，而對NMOS器件而言，閾值電壓VTn大于零（通常閾值電壓約為1/4VDD）．當輸入電壓Y1為接地或是小的正電壓時，PMOS器件導通(PMOS柵極-地間的電勢為-VDD，較vTp更小)，而NMOS為關閉狀態．因而，輸出電壓Vo十分接近VDD。（邏輯1）．當輸入為VDD時，PMOS(Vcs=0)為關閉狀態，而NMOS為導通狀態(Vi=VDD，>VTn)．所以

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[常見問題解答]MOS管-mosfet工作原理結構,特性詳解[ 2019-01-15 17:48 ]

壹芯微作為國內專業生產MOS管的生產廠家,生產技術已經是非常的成熟,進口的測試儀器,可以很好的幫組到客戶朋友穩定好品質,也有專業的工程師在把控穩定質量,協助客戶朋友解決一直客戶自身解決不了的問題,每天會分析一些知識或者客戶的一些問題,來出來分享,MOS管-mosfet工作原理結構,特性詳解,請看下方p溝道增強型mosfetP溝道mosfet介紹金屬氧化物半導體場效應(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類，P溝道硅MOS場效應晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導，柵極上加有足夠的正

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