晶體管的代表形狀

晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類

1. 按結(jié)構(gòu)分類

根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。

雙極晶體管

雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成晶體管的半導(dǎo)體的電流由空穴（正極性）和電子（負(fù)極性）產(chǎn)生。一般而言的晶體管是指這種由硅構(gòu)成的晶體管。

FET

Field Effect Transistor的簡稱，是指場效應(yīng)晶體管。有接合型FET和MOS型FET以及GaAs型。

接合型FET多用于音頻設(shè)備等的模擬電路中，MOS型FET主要用于微控制器等數(shù)字IC。

GaAs型用于衛(wèi)星廣播信號接收等的微波增幅。

※MOS

Metal Oxide SemicONductor的簡稱，因其構(gòu)造分別是金屬 (Metal)、硅酸化膜 (Oxide)、半導(dǎo)體 (SemicONductor)，故稱MOS。MOS還分為P型、N型、C型，因?yàn)橄M(fèi)電流小，用于微控制器等集成度高的IC。

2. 按功率分類

主要以最大額定值的集電極功率PC進(jìn)行區(qū)分的方法。大體分為小信號晶體管和功率晶體管，一般功率晶體管的功率超過1W。ROHM的小信號晶體管可以說是業(yè)界第一的。

小信號晶體管

最大集電極電流 (IC(max)) 在500mA以下，最大集電極功率 (PC(max)) 不超過1W的晶體管。相對功率晶體管而得名，一般以樹脂封裝居多，這是其特點(diǎn)之一。

功率晶體管

一般功率晶體管的功率超過1W。相比小信號晶體管擁有更大的最大集電極電流、最大集電極功率，對于散熱而言，它本身形狀就很大 ，有的功率晶體管上還覆蓋著金屬散熱片。

晶體管"一詞由Transfer（傳送信號）和Resistor（電阻器）組成。構(gòu)成晶體管的硅是形成地球的巖石中大量含有的物質(zhì)。因此，晶體管也俗稱"石"，設(shè)計(jì)者常用"…之石"的叫法

3. 按集成度分類

為滿足客戶需求，ROHM在分立式晶體管以外，還制造集成多個(gè)晶體管的復(fù)合晶體管。包括內(nèi)置電阻的數(shù)字晶體管、集多個(gè)晶體管于一體的晶體管陣列，還有構(gòu)成簡單電路的晶體管單元。

※數(shù)字晶體管

內(nèi)置電阻的晶體管。它是在電路設(shè)計(jì)中將頻繁使用的部分標(biāo)準(zhǔn)化的產(chǎn)物。

4. 按形狀分類

根據(jù)功率及安裝形態(tài)，決定了晶體管的外形大小和形狀。大體分為引腳型和表面安裝型。

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