如何計(jì)算MOS管導(dǎo)通損耗

MOS 管計(jì)算導(dǎo)通損耗時(shí)，應(yīng)該用平均電流IAVG還是用電流有效IRMS值呢？

先定義下相關(guān)參數(shù)，以便于后續(xù)的計(jì)算．

IO -------------輸出電流

IH-AVG-----------上MOS 管平均電流

IL-AVG ---------下MOS 管平均電流

IRMS(H) --------上MOS 管電流有效值

IRMS(L) -----------下MOS 管電流有效值

D ------------------上MOS 管占空比

ΔI --------------電感紋波電流

RON-H ---------上MOS 管導(dǎo)通電阻

RON-L ---------下MOS 管導(dǎo)通電阻

PON-H ---------上MOS 管導(dǎo)通損耗

PON-L ---------下MOS 管導(dǎo)通損耗

計(jì)算方法１： 基于平均電流

計(jì)算方法２： 基于電流有效值

下面是關(guān)于有效值和平均值的對(duì)比數(shù)據(jù)，可以直觀的看出有效值比平均值大出很多．

所以兩種方法計(jì)算出來的導(dǎo)通損耗也會(huì)差別很大，那么哪種方式是正確的呢？

MOS 管導(dǎo)通時(shí)，等效為一個(gè)電阻RDS(ON), 計(jì)算損耗時(shí)是通過積分來計(jì)算的，應(yīng)該用有效值來計(jì)算。

由此可見，I 為有效值的計(jì)算公式, 所以計(jì)算時(shí)應(yīng)用電流有效值來計(jì)算MOS管的導(dǎo)通損耗．

那么什么時(shí)候可以用平均電流來計(jì)算損耗呢？

其實(shí)輸出整流二極管，MOS體二極管的導(dǎo)通損耗，則是用均值來計(jì)算的．

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