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        TL431在開關(guān)電源反饋回路中的應(yīng)用設(shè)計介紹|壹芯微

        返回列表來源:壹芯微 發(fā)布日期 2022-03-02 瀏覽:-

        TL431在開關(guān)電源反饋回路中的應(yīng)用設(shè)計介紹|壹芯微

        隨著半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展,開關(guān)電源的應(yīng)用場合不斷拓寬。同時,對開關(guān)電源的要求也不斷提高。高功率密度、小體積、低價格成為開關(guān)電源行業(yè)的趨勢。在半導(dǎo)體技術(shù)迅猛發(fā)展的背景下,通過選用更加優(yōu)秀性能的開關(guān)管,能夠在同樣的體積空間下輸出更高的功率,從而達到優(yōu)化開關(guān)電源的功率的目的。對于控制回路而言,使用TL431來代替由分立的基準電壓和運放構(gòu)建的具有反饋功能控制回路,文中首先對TL431的內(nèi)部結(jié)構(gòu)進行分析,比較了TL431和由通用運放搭建的反饋回路,然后對TL431的靜態(tài)工作點設(shè)置進行分析和計算,最后計算了由TL431構(gòu)成的補償環(huán)路。

        1.TL431簡介

        1.1內(nèi)部結(jié)構(gòu)

        TexasInstrument公司開發(fā)的TL431是一種穩(wěn)定性好、三端可調(diào)并聯(lián)穩(wěn)壓器,常用作可調(diào)壓的電壓基準。其外部結(jié)構(gòu)包含陰極、陽極和參考電壓三個引腳;內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖如圖1所示,在TL431的大部分應(yīng)用中,陽極接地,陰極電流的一部分會流過結(jié)構(gòu)框圖左下的鏡像電流源。該電流在電阻上產(chǎn)生的壓降再加上三極管基極B與發(fā)射極E的壓降共同構(gòu)成2.5V的參考電壓。TL431的中間級結(jié)構(gòu)相當于差分放大電路,輸出級為達林頓結(jié)構(gòu),由此TL431具有內(nèi)部集成電壓基準以及運放電路的功能。

        TL431內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)

        圖1TL431內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)

        1.2工作原理

        根據(jù)其功能,TL431可以簡化由內(nèi)部集成2.5V的基準電壓、差分運放和集電極開路的三極管構(gòu)成。TL431的簡化圖如圖2所示。當參考電壓引腳上的電壓低于內(nèi)部基準電壓2.5V時,運放輸出為低電平,三極管關(guān)斷,忽略微小的漏電流,此時沒有電流流過TL431;當參考電壓引腳上的電壓高于內(nèi)部基準電壓時,運放輸出為高電平,三極管導(dǎo)通從陰極抽取電流并迅速進入飽和區(qū);當參考電壓引腳上的電壓非常接近基準電壓時,三極管才工作在放大區(qū),從陰極抽取恒定的電流。通過分析可知,在開關(guān)電源中分立的基準電壓加運放做反饋的結(jié)構(gòu)可以被TL431很好地替代。

        TL431功能結(jié)構(gòu)

        圖2TL431功能結(jié)構(gòu)

        2.TL431在反饋回路中的應(yīng)用

        2.1由普通運放和電壓基準構(gòu)成的反饋回路

        一般原副邊隔離場合下的開關(guān)電源,其功率級的隔離是通過變壓器來實現(xiàn)。反饋信號的隔離主要通過光耦來實現(xiàn)。運放和電壓基準以及光耦構(gòu)成的反饋回路,如圖3所示。

        運放和電壓基準構(gòu)成的反饋回路

        圖3運放和電壓基準構(gòu)成的反饋回路

        輸出電壓(Vo)通過電阻分壓后,與參考電壓(Vref)比較。運放輸出誤差電壓信號(Verr),從而控制流過光耦LED的電流Ie。通過光耦在原邊產(chǎn)生電流Ic,由Ic在電阻Rc上產(chǎn)生反饋電壓VFB。反饋電壓再與控制芯片內(nèi)部的比較器進行比較,產(chǎn)生控制開關(guān)管的占空比信號,從而使輸出電壓在不同負載不同輸入電壓的情況下都能穩(wěn)定在設(shè)置好的電壓范圍內(nèi)。

        2.2由TL431構(gòu)成的反饋回路

        TL431內(nèi)部集成了電壓基準和差分運放,可以在反饋回路中用TL431替代分立的電壓基準和運放。但是在實際運用中,TL431跟分立的電壓基準和運放的工作原理并不完全相同,需要作進一步的分析和研究。由TL431構(gòu)成的反饋回路如圖4所示。

        TL431構(gòu)成的反饋回路

        圖4TL431構(gòu)成的反饋回路

        輸出電壓通過電阻分壓連接到TL431的電壓基準引腳,當TL431電壓基準引腳電壓非常接近2.5V時,其內(nèi)部的三級管工作在線性區(qū),并從副邊的輔助電源VCC抽取一個恒定的電流Ie。流過發(fā)光二極管的電流Ie會在光敏三級管上感應(yīng)出與Ie

        成比例的電流Ic。

        在工程中用光耦的電流傳輸比(CTR)來定義該比值:

        公式1

        原邊的反饋電壓VFB:

        公式2

        其中,VDD是原邊的輔助電源電壓,副邊TL431的陰極電壓:

        公式3

        其中,Vcc是副邊的輔助電源電壓,Vd是光耦發(fā)光二極管的導(dǎo)通壓降。

        VFB是反饋環(huán)路通過光耦隔離之后傳遞到原邊控制芯片的誤差信號,該信號跟芯片內(nèi)部的斜坡信號(Vramp)進行比較來輸出驅(qū)動信號的占空比(du-tyc)cle),使輸出電壓在不同輸人和負載條件下能夠穩(wěn)壓,如圖5所示。

        反饋誤差信號和占空比

        圖5反饋誤差信號和占空比

        如果開關(guān)電源的輸出電壓(Vo)需要增大時,相應(yīng)的就需要增大驅(qū)動信號的占空比,從而反饋的誤差信號(VFB)需要相應(yīng)的增大,此時副邊流過光耦發(fā)光二極管的電流Ie需要相應(yīng)的減小。

        公式4

        可以看出,副邊反饋電流Ie跟輸出電壓密切相關(guān)。若使開關(guān)電源能夠穩(wěn)定工作,需對TL431反饋的靜態(tài)工作點進行計算和合理設(shè)置。

        3.TL431反饋的靜態(tài)工作點的計算和設(shè)置

        TL431直流等效模型可以等效為一個電壓控制電壓源,如圖6所示。

        TL431直流等效模型

        圖6TL431直流等效模型

        計算TL431的開環(huán)電壓增益,代人反饋環(huán)路中與發(fā)光二極管串聯(lián)的電阻Rled。

        公式5

        其中,gm是TL431的跨導(dǎo)。

        通過Slmetrix仿真計算出TL431的Ref電壓與陰極電流關(guān)系,如圖7所示。

        TL431基準電壓與陰極電流關(guān)系

        圖7TL431基準電壓與陰極電流關(guān)系

        從上圖可以看出,在陰極電流小于0.5mA時,TL431的跨導(dǎo)很小。在經(jīng)過陰極電流0.5mA的拐點之后,跨導(dǎo)gm值大概為4A/V。假設(shè)一般情況下,取Rled為0.5k。

        將Rled和gm值代人式(5),得到TL431開環(huán)電壓增益Gain=66dB,此增益能夠保證控制系統(tǒng)的輸出電壓精度滿足工業(yè)系統(tǒng)的要求。因此在正常工作時,要保證TL431的陰極電流足夠大,一般情況下要求大于1mA。

        但是在實際設(shè)計過程中,某些PWM控制芯片內(nèi)部比較器所需電流小于1mA,比如TI公司的LM5k系列控制芯片,該芯片的Comp引腳通過一個鏡像電流源把光耦電流映射到內(nèi)部,映射電流再通過內(nèi)部的參考電壓5V與5k上拉電阻產(chǎn)生誤差信號與比較器進行比較產(chǎn)生占空比信號,其結(jié)構(gòu)如圖8所示。

        LM5035芯片的COMP引腳及內(nèi)部比較器

        圖8LM5035芯片的COMP引腳及內(nèi)部比較器

        流過光耦的電流:

        公式6

        此時需要為TL431設(shè)置偏置電流,以保證在各種工作條件下都有足夠大于1mA的電流流入TL431陰極。普遍的做法是在光耦的發(fā)光二極管旁邊并一個阻值1k的電阻,如圖4中所示。光耦的發(fā)光二極管壓降大約為1V,所以與二極管并聯(lián)的1k電阻上會有1mA的偏置電流產(chǎn)生,以保證TL431有足夠的工作電流。同時,偏置電流也不能設(shè)置得過大,太大的偏置電流會增加TL431自身的損耗,也會影響到反饋環(huán)路靜態(tài)工作點的設(shè)置。

        參考圖4,當光耦電流Ic為零時,即:

        公式7

        這時,反饋電壓VFB達到最大值,相應(yīng)的控制芯片會輸出最大占空比。

        當光耦的三極管飽和時,光耦電流Ic達到最大值,此時控制芯片輸出最小占空比。

        公式8

        當原邊光耦電流Ic達到最大值時,相應(yīng)的副邊光耦的發(fā)光二極管中電流Ie在CTR為最小值時到達最大,如式(9):

        公式9

        TL431在工作時陰極電壓需要大于其基準點電壓(2.5V),同時要小于36V。該值可由下式計算得到:

        公式10

        4.TL431小信號環(huán)路設(shè)計

        設(shè)置好靜態(tài)工作點之后,就需要對電源系統(tǒng)的反饋環(huán)路進行補償,以保證系統(tǒng)的穩(wěn)定性。如圖4所示,獨立輔助繞組供電的二型反饋補償網(wǎng)絡(luò),原邊光耦電容Copto是由于光耦傳輸高頻信號延時而產(chǎn)生的,相當于在系統(tǒng)里引入了一個極點。反饋傳函為:

        公式11

        零點頻率:

        公式12

        開環(huán)增益:

        公式13

        如果直接用輸出Vo對光耦供電,整體的反饋環(huán)路有所不同,反饋傳遞函數(shù)為:

        公式14

        其中兩個極點的頻率跟式的計算結(jié)果一樣,而零點的位置更加靠前。零點頻率:

        公式15

        零點fz比極點fp0更低,系統(tǒng)的帶寬會更寬,對于輸出變化的響應(yīng)會更快。但是相位裕量較之前一種供電方式會低。在實際設(shè)計過程中需要根據(jù)對系統(tǒng)的估計要求來選擇更優(yōu)的環(huán)路補償方式。

        開關(guān)電源二型系統(tǒng)補償環(huán)路仿真結(jié)果如圖9所示。從結(jié)果可以看出用TL431和運放構(gòu)成的反饋回路的頻率響應(yīng)除了在低頻段相位裕量有微小差別,在其它頻率段表現(xiàn)出的性能幾乎一致。

        TL431和運放構(gòu)成反饋回路的頻率響應(yīng)仿真

        圖9TL431和運放構(gòu)成反饋回路的頻率響應(yīng)仿真

        結(jié)語

        本文總結(jié)了TL431在開關(guān)電源反饋回路中的應(yīng)用,并通過仿真結(jié)果驗證TL431在反饋回路中替代分立的電壓基準和運放,從而達到在開關(guān)電源的設(shè)計中節(jié)省空間,降低成本的目的。同時TL431工作時需要的電流也小于分立的電壓基準和運放工作時的工作電流,有利于減小開關(guān)電源在空載運行時的損耗。

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