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        [常見問題解答]NPN三極管基極電壓高于集電極電壓,是否還能正常導通?深度解析三極管原理[ 2024-12-19 12:15 ]
        三極管作為基本半導體器件,用途廣泛,原理相對簡單。但在實際電路設計和分析中,仍有一些細節容易被誤解。例如,NPN晶體管基極電壓高于集電極電壓時是否能夠正常導通。這個問題看似很基本,但常常會導致混亂。本文將通過對三極管工作原理的詳細分析來理清要點。一、電流控制器件主要由發射極、基極、集電極三部分組成。以NPN晶體管為例,其導通狀態主要取決于兩個結的偏置狀態:1. 發射結(基極和發射極之間的PN結)應正向偏置,即基極電壓高于發射極電壓。2. 集電極結(集電極和基極之間的PN結)通常需要反向偏置電壓,即集電極電壓高于基極
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        [技術文章]A1015 典型應用電路[ 2024-04-27 15:37 ]
        三極管A1015是一種高效的PNP型低功率晶體管,其在模擬和數字信號放大以及開關控制方面展現出卓越的適用性。以下詳細介紹了A1015的核心性能參數及其在各種電子電路中的實用應用。一、A1015的關鍵性能指標類型:PNP晶體管,優化用于正向信號放大。最大集電極電壓(Vcbo):可達50V,適應多樣化的電路設計需求。最大集電極電流(Ic):高達150 mA,適合中等負荷的應用。最大功率消耗:400 mW,保障持續穩定的運作。電流增益(hFE):介于100至600之間,顯示其強大的信號放大能力。這些參數突出了A1015在
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        [常見問題解答]三極管的集電極和基極電壓如何應用[ 2024-01-25 17:11 ]
        三極管的集電極和基極電壓如何應用三極管集電極電壓和基極電壓三極管是一種常見的電子元器件,被廣泛應用于電子電路中。它具有放大和開關特性,常用于放大信號、控制電壓和電流等應用。三極管的集電極電壓和基極電壓是三極管的兩個重要電壓參數,對其工作狀態和性能具有重要影響。本文將詳細介紹三極管集電極電壓和基極電壓的意義、特性和應用。首先,我們來了解一下三極管的基本結構和工作原理。三極管由三個摻雜不同類型的半導體材料層組成,分別是發射極、基極和集電極。發射極被摻雜為P型材料,基極是N型材料,集電極是P型材料。三個材料層之間形成兩個
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        [常見問題解答]NPN型的晶體管伏安特性解析[ 2023-09-12 18:17 ]
        NPN型的晶體管伏安特性解析伏安特性是指橫軸為電壓、縱軸為電流的一組測試記錄。 那么NPN型晶體管的伏安特性增模描述呢? 晶體管有三個引腳,因此需用通過兩個伏安特性來展示晶體管的特征,這兩個伏安特性分別為輸入伏安特性和輸出伏安特性。晶體管輸入伏安特性是指基極電流iB與發射極電壓UBE之間的關系,但是這種關系受到集電極電壓UCE的影響。將晶體管按照圖1連接,將UCE設為5V,改變UBE,測量基極電流iB,則可以得到基極電流iB與UBE的關系,為圖2所示的一根曲線。 將UCE從5V開始降低電壓值,每次降低1V,可得到多
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        [常見問題解答]穩壓電源電路圖介紹[ 2023-06-02 12:19 ]
        穩壓電源電路圖介紹1、3~25V 電壓可調穩壓電路圖此穩壓電源可調范圍在 3.5V~25V 之間任意調節,輸出電流大,并采用可調穩壓管式電路,從而得到滿意平穩的輸出電壓。工作原理:經整流濾波后直流電壓由 R1 提供給調整管的基極,使調整管導通,在 V1 導通時電壓經過 RP、R2 使 v2 導通,接著 V3 也導通,這時 V1、V2、 V3 的發射極和集電極電壓不再變化(其作用完全與穩壓管一樣)。調節 RP,可得到平穩的輸出電壓,R1、RP、R2 與 R3 比值決定本電路輸出的電壓值。元器件選擇:變壓器 T 選用
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        [常見問題解答]共發射極放大電路極性問題介紹[ 2023-04-20 18:00 ]
        共發射極放大電路極性問題介紹三極管接成共發射極電路時,輸入信號與輸出信號的相位相差180度,所以也稱為反相器,也就是倒相。這是因為集電極接一個電阻RC,集電極輸出電壓VCE與電源電壓EC、集電極電阻電壓VRC之間有如下關系:Ec=VRc+Vce,也就是Ec-VRc=Vce,因為VRc=Ic*Rc,Ic=βIB當三極管基極輸入一個正極性信號時(正弦波的正半周信號),基極電流Ib向增大方向變化,集電極電流Ic隨之增大,VRc=Rc*Ic也增大,使Vce減小,輸出電壓向減小方向變化。所以說,基極電壓輸入正半周,集電極電壓
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        [常見問題解答]如何判斷三極管的工作狀態[ 2023-02-22 17:07 ]
        判斷三極管工作狀態的方法三極管具有三個工作狀態,分別是截止狀態、放大狀態、飽和狀態。根據三極管的管腳電壓判斷三極管工作狀態的方法如下:(1)NPN型三極管判斷方法:對于NPN型三極管,如果電壓滿足:集電極>基極>發射極為放大狀態;如果發射極>基極,則為截止狀態;如果發射極<基極,但集電極<基極,則為飽和狀態。圖1如圖1(a)所示,三極管基極電壓=3.7V,發射極電壓=3V,集電極電壓=8V,所以集電極>基極>發射極,所以該三極管為放大狀態。如圖1(b)所示,三極管基極電壓=
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        [常見問題解答]提高低成本開關電源的效率介紹[ 2022-11-02 17:10 ]
        低電流開關穩壓器IC通常使用達靈頓管作為輸出開關。在這種情況下,電源轉換效率可以借由兩個便宜的元器件得到提高。  為使之成為可能,芯片上應當有一個針對驅動器晶體管Q1集電極的單獨引腳(圖1)。在啟動時,D1針對Q1的集電極電流形成一條通路。此后,D1和C1形成一個電流累加整流器,增加Q1的集電極電壓和電流,從而降低閉合開關Q2上的電壓降。圖1:為了實現用兩個元器件提升電源轉換效率,芯片上應有針對驅動器晶體管Q1集電極的單獨引腳。  該電路的另一優點是能在輸入電壓較低的情況下工作。由于驅動器集電極上的電壓有所上升,電
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        [常見問題解答]詳述三極管各電極電壓與電流的關系[ 2021-03-19 13:36 ]
        詳述三極管各電極電壓與電流的關系給三極管各電極加上適當的直流電壓后,各電極才有直流電流。三極管基極電壓用UB表示,UC是集電極電壓,UE是發射極電壓。圖1-69所示是NPN型三極管各電極電壓和電流示意圖。聊一聊三極管各電極電壓與電流的關系圖1-69 NPN 型三極管各電極電壓和電流示意圖1.三極管基極電壓電路中,直流工作電壓+V通過電阻R1和R2分壓,加到三極管VT1基極,作為VT1的基極直流電壓。改變電阻R1或R2的阻值大小,可以改變三極管基極電壓的大小。直流電壓+V產生的電流經R1送入三極管VT1基極,另一部分
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        [常見問題解答]三極管一些重要規律以及應用[ 2021-03-12 13:27 ]
        三極管一些重要規律以及應用規律1:對于NPN晶體管來說,集電極電壓必須比發射極電壓VE高,至少要高零點幾伏。否則無論基極偏置電壓如何改變都不會有電流從集電極流向發射極。對于PNP晶體管來說,則要求發射極電壓至少高出集電極電壓零點幾伏。規律2:NPN晶體管的基極至發射極有0.6V的電壓降,PNP晶體管從基極到發射極有0.6V的電壓升。這說明,NPN三極管的基極電壓至少要比發射極電壓VE高0.6V。否則三極管就沒有集電極到發射極的電流。而PNP三極管的基極電壓VB至少要比發射極的電壓VE低0.6V,否則就沒有發射極到集
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        [常見問題解答]晶體三極管的開關狀態[ 2021-02-27 10:36 ]
        晶體三極管的開關狀態關于三極管的開關狀態 現在基本上很少用分離的三極管來搭一個放大電路了,用作放大時三極管多接成射隨器,作功率放大用。分離的三極管作放大電路有兩個問題,一是比較難以計算,二是溫漂較大。下面就針對工作于開關狀態的三極管用我個人的理解作一描述。電路簡化如下圖所示,三極管工作于開狀態(飽合導通狀態)時特點是:發射結正偏,集電結反偏,用電壓來說明的話,那么基極電壓約0.6-0.7V,集電極電壓約0.2-0.3V。可以說,如果不考慮三極管等的耗,任意選一個R1,可以找到很多R2使得三極管進入飽合狀態
        http://m.kannic.com/Article/jtsjgdkgzt_1.html3星
        [常見問題解答]IGBT怎么防止靜電擊穿[ 2020-08-25 15:06 ]
        IGBT怎么防止靜電擊穿IGBT在關斷時,由于逆變電路中存在電感成分,關斷產生瞬間尖峰電壓,如果尖峰電壓超過IGBT的最高峰值電壓,將造成IGBT擊穿損壞,過壓損壞可分為集電極-柵極過壓,柵極-發射極過電壓,高du/dt過電壓。對于du/dt所導致的過壓故障,基本上采用無感電容或RCD吸收,由于設計吸收容量不夠而造成損壞,可以采用電壓鉗位,往往在集電極-柵極兩端并聯齊納二極管,采用柵極電壓動態控制,當集電極電壓瞬間超過齊納二極管的鉗位電壓時,超出的電壓將疊加在柵極上,避免了IGBT因受集電極-發射極過壓而損壞。在G
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        [常見問題解答]三極管放大電路計算方法[ 2019-10-15 14:57 ]
        一、共發射極放大電路(一)電路的組成:電源VCC通過RB1、RB2、RC、RE使晶體三極管獲得合適的偏置,為三極管的放大作用提供必要的條件,RB1、RB2稱為基極偏置電阻,RE稱為發射極電阻,RC稱為集電極負載電阻,利用RC的降壓作用,將三極管集電極電流的變化轉換成集電極電壓的變化,從而實現信號的電壓放大。與RE并聯的電容CE,稱為發射極旁路電容,用以短路交流,使RE對放大電路的電壓放大倍數不產生影響,故要求它對信號頻率的容抗越小越好,因此,在低頻放大電路中CE通常也采用電解電容器。Vcc(直流電源):使發射結正偏
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        [常見問題解答]三極管重要的規律與應用[ 2019-10-15 13:49 ]
        三極管重要的規律與應用規律1:對于NPN晶體管來說,集電極電壓必須比發射極電壓VE高,至少要高零點幾伏。否則無論基極偏置電壓如何改變都不會有電流從集電極流向發射極。對于PNP晶體管來說,則要求發射極電壓至少高出集電極電壓零點幾伏。規律2:NPN晶體管的基極至發射極有0.6V的電壓降,PNP晶體管從基極到發射極有0.6V的電壓升。這說明,NPN三極管的基極電壓至少要比發射極電壓VE高0.6V。否則三極管就沒有集電極到發射極的電流。而PNP三極管的基極電壓VB至少要比發射極的電壓VE低0.6V,否則就沒有發射極到集電極
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