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        [行業(yè)資訊]120N03場效應(yīng)管參數(shù)|120N03(TO220,TO252)規(guī)格書資料|壹芯微[ 2022-04-04 12:12 ]
        120N03場效應(yīng)管參數(shù)|120N03(TO220,TO252)規(guī)格書資料|壹芯微 產(chǎn)品類型 場效應(yīng)管 產(chǎn)品型號 120N03 極性 NPN 漏源電壓 30V 漏極電流 120A 封裝 TO-220,TO-252...
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        [行業(yè)資訊]20N03場效應(yīng)管參數(shù)|20N03(TO252)規(guī)格書資料|壹芯微[ 2022-03-02 14:58 ]
        20N03場效應(yīng)管參數(shù)|20N03(TO252)規(guī)格書資料|壹芯微 產(chǎn)品類型 場效應(yīng)管 產(chǎn)品型號 20N03 極性 NPN 漏源電壓 30V 漏極電流 20A 封裝 TO-252
        http://m.kannic.com/Article/20n03cxygc_1.html3星
        [行業(yè)資訊]120N03場效應(yīng)管參數(shù)-PDF規(guī)格書下載[ 2021-10-16 14:23 ]
        120N03場效應(yīng)管參數(shù)-PDF規(guī)格書下載120N03場效應(yīng)管參數(shù)及代換,120N03封裝引腳圖,120N03中文資料規(guī)格書PDF120N03.pdf 規(guī)格書查看下載120N03場效應(yīng)管參數(shù)如下:極性:NPNDrain-SourceVoltage漏源電壓,VDSS:30VGateSourceVoltage柵源電壓,VGSS:±20VContinuousDrainCurrent漏極電流連續(xù),ID:120APowerDissipation功耗,PD:120WOperatingJunction&a
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        [行業(yè)資訊]20P06場效應(yīng)管參數(shù)-PDF規(guī)格書下載[ 2021-10-16 11:33 ]
        20P06場效應(yīng)管參數(shù)-PDF規(guī)格書下載20P06場效應(yīng)管參數(shù)及代換,20P06封裝引腳圖,20P06中文資料規(guī)格書PDF20N03.pdf 規(guī)格書查看下載20N03場效應(yīng)管參數(shù)如下:極性:NPNDrain-SourceVoltage漏源電壓,VDSS:30VGateSourceVoltage柵源電壓,VGSS:±20VContinuousDrainCurrent漏極電流連續(xù)(TC+25°C),ID:20AMaximumPowerDissipation功耗,PD:30WPowerDi
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        [行業(yè)資訊]DC004NG選型替代,120N03場效應(yīng)管參數(shù)中文資料PDF - 壹芯微[ 2021-09-08 11:50 ]
        DC004NG選型替代,120N03場效應(yīng)管參數(shù)中文資料PDF - 壹芯微120N03(N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管);120N03場效應(yīng)管參數(shù);120N03場效應(yīng)管封裝引腳圖;120N03場效應(yīng)管中文資料規(guī)格書(PDF);電流(ID):120A,電壓(VDSS):30V,封裝形式:TO252產(chǎn)品概要* ID=120A* VDS=30V* RDS(ON)=3.8mΩ @VGS=10V* 低柵極電荷(典型 54nC)* 快速切換* 100% 雪崩測試* 高功率和電流處理能力絕對最大額定參數(shù)(TC=25C,除非另有說明)漏
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        [行業(yè)資訊]原裝DC035NG替代20N03 N溝道30V,20A 貼片TO-252 MOS管廠家直營[ 2021-09-07 18:20 ]
        原裝DC035NG替代20N03 N溝道30V,20A 貼片TO-252  MOS管廠家直營20N03(N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管);20N03場效應(yīng)管參數(shù);20N03場效應(yīng)管封裝引腳圖;20N03場效應(yīng)管中文資料規(guī)格書(PDF);電流(ID):20A,電壓(VDSS):30V,封裝形式:TO252產(chǎn)品概要* ID = 120A* VDS=30V* RDS(ON)=3.8m? @ VGS=10V * 低柵極電荷(典型 54nC)* 快速切換* 100% 雪崩測試* 高功率和電流處理能力絕對最大額定
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        [行業(yè)資訊]120N03 TO-220/TO-252參數(shù)和中文資料 - 場效應(yīng)MOS管 - 壹芯微[ 2021-07-13 09:37 ]
        120N03 TO-220/TO-252參數(shù)和中文資料 - 場效應(yīng)MOS管 - 壹芯微120N03(120A,30V N溝道場效應(yīng)晶體管)品牌:壹芯微|類型:場效應(yīng)管|封裝:TO-220/TO-252|參數(shù)達(dá)標(biāo) 質(zhì)量穩(wěn)定 免費樣品 歡迎咨詢120N03場效應(yīng)管主要參數(shù)參數(shù)\型號120N03極性NID(A)120VDSS(V)30RDS(ON):Max(Ω)0.0038RDS(ON):VGS(Ω)10VGS(th):(V)1~3Gfs(min):(S)48Gfs(min):Vgs(V)10Gfs(min):Io(A)
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        [行業(yè)資訊]20N03 TO-252參數(shù)和中文資料 - 場效應(yīng)MOS管 - 壹芯微[ 2021-07-13 09:13 ]
        20N03 TO-252參數(shù)和中文資料 - 場效應(yīng)MOS管 - 壹芯微20N03(20A,30V N溝道場效應(yīng)晶體管)品牌:壹芯微|類型:場效應(yīng)管|封裝:TO-252|參數(shù)達(dá)標(biāo) 質(zhì)量穩(wěn)定 免費樣品 歡迎咨詢20N03場效應(yīng)管主要參數(shù)參數(shù)\型號20N03極性NID(A)20VDSS(V)30RDS(ON):Max(Ω)0.02RDS(ON):VGS(Ω)10VGS(th):(V)1~3Gfs(min):(S)25Gfs(min):Vgs(V)10Gfs(min):Io(A)10封裝TO-252概述:20N03/TO-
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        [常見問題解答]〔壹芯〕生產(chǎn)120N03場效應(yīng)管120A-30V,參數(shù)達(dá)標(biāo),質(zhì)量穩(wěn)定[ 2021-06-08 12:07 ]
        〔壹芯〕生產(chǎn)120N03場效應(yīng)管120A-30V,參數(shù)達(dá)標(biāo),質(zhì)量穩(wěn)定場效應(yīng)管(MOSFETS)型號:120N03      極性:NIDA(A):120       VDSS(V):30RDS(on) MAX(Ω):0.0038 VGS(V):10 VGS(th) (V):1~3Gfs(min) (S):48 Vgs(V):10 Io(A):40封裝:TO-220 TO-252VVMOSFET的科普知識根據(jù)結(jié)構(gòu)形式的不同,VMOSFET分為VVMOSFET和VDMOSFET兩種基本類型。VVMOSFET結(jié)
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        [常見問題解答]〔壹芯〕生產(chǎn)20N03場效應(yīng)管20A-30V,參數(shù)達(dá)標(biāo),質(zhì)量穩(wěn)定[ 2021-06-07 18:48 ]
        〔壹芯〕生產(chǎn)20N03場效應(yīng)管20A-30V,參數(shù)達(dá)標(biāo),質(zhì)量穩(wěn)定場效應(yīng)管(MOSFETS)型號:20N03       極性:NIDA(A):20       VDSS(V):30RDS(on) MAX(Ω):0.02 VGS(V):10 VGS(th) (V):1~3Gfs(min) (S):25 Vgs(V):10 Io(A):10封裝:TO-252電力場效應(yīng)晶體管的基本結(jié)構(gòu)和工作原理為了說明MOSFET的結(jié)構(gòu)特點與工作原理,首先要說明場效應(yīng)器件的基本結(jié)構(gòu)。由于輸出電流是由柵極通過金屬氧化膜半導(dǎo)體系統(tǒng)
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