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[行業(yè)資訊]CJU04N65場效應(yīng)管參數(shù) CJU04N65參數(shù)資料規(guī)格書〔壹芯微〕[ 2021-12-20 14:45 ]: CJU04N65場效應(yīng)管參數(shù) CJU04N65參數(shù)資料規(guī)格書〔壹芯微〕CJU04N65參數(shù)資料,選型替代,CJU04N65封裝引腳圖,數(shù)據(jù)手冊,MOS管生產(chǎn)廠家漏源電壓(VDSS)：650V柵源電壓(VGSS)：±30V漏極電流-連續(xù)(TJ=25°C)(ID)：4.0A漏極電流-脈沖(IDM)：16A單脈沖雪崩能量(EAS)：280mJ功耗(TC=25°C)(PD)：1.25W工作與貯存溫度范圍(TJ,TSTG)：-55~+150°С焊接的最高引線溫度(TL)：260°; http://m.kannic.com/Article/cju04n65cx_1.html

[行業(yè)資訊]4N65場效應(yīng)管參數(shù)資料,4N65參數(shù)手冊PDF下載[ 2021-10-13 14:23 ]: 4N65場效應(yīng)管參數(shù)資料,4N65參數(shù)手冊PDF下載4N65系列場效應(yīng)管TO-220封裝引腳圖：壹芯微供應(yīng)4N65系列的場效應(yīng)管型號(hào)如下（尾綴不同，參數(shù)一致，主要區(qū)分材質(zhì)、封裝與包裝方式）4N65L-TA3-T 4N65G-TA3-T 封裝形式TO-2204N65L-TF1-T 4N65G-TF1-T 封裝形式TO-220F14N65L-TF2-T 4N65G-TF2-T 封裝形式TO-220F24N65L-TF3-T 4N65G-TF3-T 封裝形式TO-220F4N65L-TF3T-T 4N65G-TF3T-T; http://m.kannic.com/Article/4n65cxygcs_1.html

[行業(yè)資訊]4N65G-TN3-T場效應(yīng)MOS管參數(shù) 報(bào)價(jià) 原廠直銷免費(fèi)樣品 - 壹芯微[ 2021-09-23 11:43 ]: 4N65G-TN3-T場效應(yīng)MOS管參數(shù) 報(bào)價(jià) 原廠直銷免費(fèi)樣品 - 壹芯微型號(hào)：4N65G-TN3-T 極性：N溝道；電壓：650V 電流：4A；封裝：TO-252 促銷價(jià)格/免費(fèi)樣品/選型替代/原廠直銷4N65G-TN3-T參數(shù)中文資料,4N65G-TN3-T封裝管腳引腳圖,4N65G-TN3-T規(guī)格書:查看下載4N65G-TN3-T的概述：4N65-E是一款高壓功率MOSFET，其設(shè)計(jì)具有更好的特性，例如快速開關(guān)時(shí)間、低柵極電荷、低導(dǎo)通電阻和高堅(jiān)固性雪崩特性。這種功率MOSFET通常用于高速開關(guān)應(yīng)用，包括; http://m.kannic.com/Article/4n65gtn3tc_1.html

[行業(yè)資訊]4N65ZG-TN3-T場效應(yīng)管,4N65ZG-TN3-T參數(shù)中文資料 - 壹芯微[ 2021-09-22 15:48 ]: 4N65ZG-TN3-T場效應(yīng)管,4N65ZG-TN3-T參數(shù)中文資料 - 壹芯微4N65ZG-TN3-T場效應(yīng)管（4A,650V N溝道功率場效應(yīng)晶體管）封裝形式為：TO2524N65ZG-TN3-T場效應(yīng)管參數(shù)中文資料,4N65ZG-TN3-T場效應(yīng)管封裝引腳圖,4N65ZG-TN3-T規(guī)格書4N65ZG-TN3-T的概述：4N65Z是一款高壓功率MOSFET，其設(shè)計(jì)具有更好的特性，例如快速開關(guān)時(shí)間、低柵極電荷、低導(dǎo)通電阻和高堅(jiān)固性雪崩特性。該功率MOSFET通常用于高速開關(guān)應(yīng)用，包括電源、PWM電機(jī)控制、高; http://m.kannic.com/Article/4n65zgtn3t_1.html

[行業(yè)資訊]4N65ZG-TN3-R TO252 N溝道高壓650V 2A - 場效應(yīng)MOS管 - 壹芯微[ 2021-09-17 12:06 ]: 4N65ZG-TN3-R TO252 N溝道高壓650V 4A - 場效應(yīng)MOS管 - 壹芯微型號(hào) 極性電壓電流封裝 4N65ZG-TN3-RN溝道650V4ATO-2524N65ZG-TN3; http://m.kannic.com/Article/4n65zgtn3r_1.html

[行業(yè)資訊]CJU01N65B場效應(yīng)(MOS管)參數(shù) 報(bào)價(jià) 原廠直銷免費(fèi)樣品 - 壹芯微[ 2021-09-17 11:48 ]: CJU01N65B場效應(yīng)(MOS管)參數(shù) 報(bào)價(jià) 原廠直銷免費(fèi)樣品 - 壹芯微型號(hào) 極性電壓電流封裝 4N65L-TN3-TN溝道650V4ATO-252CJU01N65B的概述：這種先進(jìn)的高壓; http://m.kannic.com/Article/cju01n65bc_1.html

[行業(yè)資訊]4N65L-TN3-T場效應(yīng)管參數(shù)規(guī)格書 MOS管廠家直營 - 壹芯微[ 2021-09-17 10:17 ]: 4N65L-TN3-T場效應(yīng)管參數(shù)規(guī)格書 MOS管廠家直營 - 壹芯微型號(hào) 極性電壓電流封裝 4N65L-TN3-TN溝道650V4AT...; http://m.kannic.com/Article/4n65ltn3tc_1.html

[行業(yè)資訊]「2N60,4N60,4N65」MOS管和IGBT管的區(qū)別-壹芯微[ 2021-07-26 09:30 ]: 「2N60,4N60,4N65」MOS管和IGBT管的區(qū)別-壹芯微型號(hào)：2N60(2A,600V) 4N60(4A,600V) 4N65(4A,650V)品牌：壹芯微|類型：場效應(yīng)管MOSFET|封裝：TO-252/TO-220等|多種封裝尺寸不同參數(shù)一致免費(fèi)樣品歡迎咨詢MOS管和IGBT管都可以作為開關(guān)元件使用，它們在外形、特性參數(shù)上也比較相似，那它們到底有什么區(qū)別呢？什么是MOS管？MOS管是MOSFET管的簡稱，是金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，可以簡化稱為「場效應(yīng)管」，MOS管主要分兩種類型：結(jié)型場; http://m.kannic.com/Article/2n604n604n_1.html

[行業(yè)資訊]4N65 TO-252/TO-220參數(shù)和中文資料 - 場效應(yīng)MOS管 - 壹芯微[ 2021-07-10 09:23 ]: 4N65 TO-252/TO-220參數(shù)和中文資料 - 場效應(yīng)MOS管 - 壹芯微4N65（N溝道場效應(yīng)MOS管）品牌：壹芯微|類型：場效應(yīng)管|封裝：TO-252/TO-220|參數(shù)達(dá)標(biāo) 質(zhì)量穩(wěn)定免費(fèi)樣品歡迎咨詢4N65場效應(yīng)管主要參數(shù)參數(shù)\型號(hào)4N65極性NID(A)4VDSS(V)650RDS(ON):Max(Ω)2.6RDS(ON):VGS(Ω)10VGS(th):(V)2~4Gfs(min):(S)3.6Gfs(min):Vgs(V)40Gfs(min):Io(A)2.0封裝TO-252/TO-2204; http://m.kannic.com/Article/4n65to252t_1.html

[常見問題解答]〔壹芯〕生產(chǎn)4N65場效應(yīng)管4A-650V,參數(shù)達(dá)標(biāo),質(zhì)量穩(wěn)定[ 2021-06-05 12:17 ]: 〔壹芯〕生產(chǎn)4N65場效應(yīng)管4A-650V,參數(shù)達(dá)標(biāo),質(zhì)量穩(wěn)定場效應(yīng)管(MOSFETS)型號(hào)：4N65　　　　　　　極性：NIDA(A)：4　　　　　　　VDSS(V)：650RDS(on)　MAX(Ω)：2.6　VGS(V)：10 VGS(th)　(V)：2~4Gfs(min)　(S)：3.6　Vgs(V)：40　Io(A)：2.0封裝：TO-252 TO-220結(jié)型場效應(yīng)管結(jié)型場效應(yīng)管又分為N溝道和P溝道兩種類型如圖5-17（a）所示為N溝道JFET的結(jié)構(gòu)示意圖，圖中，在同一塊N型半導(dǎo)體上制作兩個(gè)高摻; http://m.kannic.com/Article/yxsc4n65cx_1.html

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