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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]如何高效測(cè)試MOS管驅(qū)動(dòng)電阻：方法與技巧[ 2025-04-12 10:29 ]

在電子電路設(shè)計(jì)與維修過(guò)程中，MOS管的驅(qū)動(dòng)電阻扮演著至關(guān)重要的角色。合理的驅(qū)動(dòng)電阻不僅關(guān)系到MOS管的開(kāi)關(guān)速度，還直接影響電路的穩(wěn)定性與可靠性。掌握高效、準(zhǔn)確的驅(qū)動(dòng)電阻測(cè)試技巧，不僅能幫助技術(shù)人員快速定位問(wèn)題，還能在電路調(diào)試與優(yōu)化中節(jié)省大量時(shí)間。一、MOS管驅(qū)動(dòng)電阻測(cè)試前的基礎(chǔ)準(zhǔn)備在正式進(jìn)行驅(qū)動(dòng)電阻測(cè)試之前，準(zhǔn)備工作必不可少。尤其是在復(fù)雜的驅(qū)動(dòng)電路中，良好的準(zhǔn)備能大幅提升測(cè)試效率和安全性。1. 工具準(zhǔn)備- 數(shù)字萬(wàn)用表（具備電阻測(cè)量功能）- 電烙鐵與吸錫器（用于拆卸與焊接元件）- 鑷子、防靜電手套、絕緣工具- 放電電

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]MOS管驅(qū)動(dòng)電壓充不滿怎么辦？開(kāi)關(guān)電源常見(jiàn)問(wèn)題分析[ 2025-04-11 10:40 ]

在開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)與調(diào)試過(guò)程中，MOS管的柵極驅(qū)動(dòng)電壓能否快速、穩(wěn)定充滿，直接影響著電路的正常工作。特別是在大功率或高頻應(yīng)用場(chǎng)景中，MOS管的驅(qū)動(dòng)問(wèn)題極易暴露，各類(lèi)意想不到的異常情況層出不窮。很多工程師在實(shí)際調(diào)試中經(jīng)常會(huì)遇到這樣的問(wèn)題：MOS管的柵極電壓始終無(wú)法達(dá)到預(yù)期的幅值，導(dǎo)致開(kāi)關(guān)動(dòng)作不可靠，甚至出現(xiàn)嚴(yán)重的損壞隱患。那么，柵極驅(qū)動(dòng)電壓充不滿到底可能有哪些原因？該如何針對(duì)性排查和處理？一、驅(qū)動(dòng)電阻選型不當(dāng)MOS管的柵極實(shí)際等效為一個(gè)大電容，驅(qū)動(dòng)時(shí)的充放電速度與驅(qū)動(dòng)源的能力和串聯(lián)電阻關(guān)系密切。若驅(qū)動(dòng)電阻阻值偏大，將直接

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]從符號(hào)到實(shí)戰(zhàn)：一步步帶你掌握MOS管驅(qū)動(dòng)原理[ 2025-03-27 11:40 ]

對(duì)于很多剛接觸電子電路設(shè)計(jì)的朋友來(lái)說(shuō)，MOS管是一類(lèi)既熟悉又容易混淆的元器件。尤其是在電路圖紙中，P-MOS與N-MOS的電氣符號(hào)過(guò)于相似，不少新手初看之下“傻傻分不清楚”。但實(shí)際上，只要掌握它們的引腳識(shí)別方法、箭頭方向含義和基本導(dǎo)通原理，不但可以準(zhǔn)確區(qū)分符號(hào)，還能輕松完成MOS管在實(shí)際項(xiàng)目中的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)。一、認(rèn)識(shí)MOS管電氣符號(hào)：分清源極、漏極與柵極MOS管有三個(gè)基本引腳：G極（Gate，柵極）、S極（Source，源極）、D極（Drain，漏極）。無(wú)論是N型還是P型，G極通常處于符號(hào)的一側(cè)

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]MOS管開(kāi)關(guān)電路中三極管易損壞的原因解析[ 2025-03-19 10:30 ]

MOS管開(kāi)關(guān)電路在電子設(shè)計(jì)中應(yīng)用廣泛，憑借其高開(kāi)關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻以及低功耗等優(yōu)點(diǎn)，被大量用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和信號(hào)控制等場(chǎng)景。然而，在某些情況下，為了實(shí)現(xiàn)特定的控制功能，設(shè)計(jì)中會(huì)引入三極管作為輔助元件。然而，許多工程師在實(shí)際應(yīng)用中發(fā)現(xiàn)，三極管在MOS管開(kāi)關(guān)電路中往往更容易損壞。那么，造成這一現(xiàn)象的原因是什么？又該如何避免三極管的損壞呢？一、三極管在MOS管開(kāi)關(guān)電路中的作用在MOS管驅(qū)動(dòng)電路中，三極管通常被用作前級(jí)信號(hào)放大、級(jí)聯(lián)驅(qū)動(dòng)或是過(guò)流保護(hù)。例如，在一些低壓控制高壓的電路中，單獨(dú)使用MOS管可能無(wú)法滿足邏輯電

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]開(kāi)關(guān)電源MOS管驅(qū)動(dòng)電路的幾種常見(jiàn)方案解析[ 2025-02-26 11:10 ]

開(kāi)關(guān)電源在現(xiàn)代電子設(shè)備中應(yīng)用廣泛，其核心元件之一——MOS管（場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的驅(qū)動(dòng)方式直接影響電路的性能、功率轉(zhuǎn)換效率以及可靠性。MOS管的驅(qū)動(dòng)電路有多種實(shí)現(xiàn)方式，每種方式都有其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)和適用場(chǎng)景。1. 電源管理芯片直接驅(qū)動(dòng)最簡(jiǎn)單的MOS管驅(qū)動(dòng)方式是直接由電源管理芯片（如PWM控制器）提供驅(qū)動(dòng)信號(hào)。這種方式通常適用于低功率應(yīng)用，因?yàn)镻WM控制芯片的輸出能力有限，驅(qū)動(dòng)電流較小。在典型電路中，PWM控制芯片輸出方波信號(hào)，通過(guò)驅(qū)動(dòng)電阻（Rg）傳輸?shù)組OS管的柵極（Gate），實(shí)現(xiàn)對(duì)MOS管的開(kāi)關(guān)

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]MOS管驅(qū)動(dòng)電路的常見(jiàn)類(lèi)型，你了解多少？[ 2025-02-19 10:06 ]

MOS管由于具有低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)關(guān)和較低的功率消耗，廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、功率放大器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。要實(shí)現(xiàn)MOS管的最佳性能，關(guān)鍵在于設(shè)計(jì)合適的驅(qū)動(dòng)電路。1. 電源IC直接驅(qū)動(dòng)電源IC直接驅(qū)動(dòng)是最簡(jiǎn)單的MOS管驅(qū)動(dòng)方式。這種方案直接使用電源芯片的輸出驅(qū)動(dòng)MOS管柵極，相對(duì)簡(jiǎn)單且成本低。但這種方式的有效性依賴于電源IC的驅(qū)動(dòng)能力和MOS管的特性。優(yōu)點(diǎn)：- 設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單，易于實(shí)現(xiàn)。- 適用于驅(qū)動(dòng)要求較低的場(chǎng)景。注意事項(xiàng)：- 驅(qū)動(dòng)電流：不同的電源IC具有不同的最大驅(qū)動(dòng)電流能力。在選型時(shí)需要參考電源IC的規(guī)格手冊(cè)，確保其驅(qū)動(dòng)

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]MOS管直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)：關(guān)鍵步驟與應(yīng)用解析[ 2024-11-06 11:39 ]

MOS管驅(qū)動(dòng)器已成為現(xiàn)代電子控制系統(tǒng)中的常見(jiàn)實(shí)現(xiàn)方式。MOS管驅(qū)動(dòng)器憑借其效率高、響應(yīng)速度快、控制精準(zhǔn)等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于各種直流電機(jī)應(yīng)用場(chǎng)景。本文對(duì)MOS管直流電機(jī)的主要步驟及應(yīng)用進(jìn)行了詳細(xì)分析，以幫助讀者理解工作原理及主要實(shí)現(xiàn)方法。一、了解MOS管直流電機(jī)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的基本原理：MOS管是壓控器件，具有開(kāi)關(guān)速度快、導(dǎo)通電阻低等優(yōu)點(diǎn)。它用于直流電機(jī)中，通過(guò)改變柵極電壓來(lái)控制源極和漏極之間的電流。MOS管常用于調(diào)整和切換電機(jī)的工作狀態(tài)。在直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中，MOS管提供高效的開(kāi)關(guān)能力，并通過(guò)PWM（脈沖寬度調(diào)制）實(shí)現(xiàn)精確

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]MOS管驅(qū)動(dòng)電阻的計(jì)算方法與參數(shù)優(yōu)化[ 2024-10-28 14:39 ]

在電子電路中，MOS管驅(qū)動(dòng)電阻的選擇是影響系統(tǒng)性能的關(guān)鍵因素之一。合適的驅(qū)動(dòng)電阻可確保 MOSFET穩(wěn)定、準(zhǔn)確地開(kāi)關(guān)，從而提高效率并延長(zhǎng)器件驅(qū)動(dòng)電阻的使用壽命。針對(duì)不同應(yīng)用場(chǎng)景的計(jì)算方法和參數(shù)優(yōu)化建議，幫助設(shè)計(jì)人員找到實(shí)際電路中的最佳電阻值。一、驅(qū)動(dòng)電阻的作用分析驅(qū)動(dòng)電阻在MOSFET驅(qū)動(dòng)電路中主要有兩個(gè)作用。1. 抑制振動(dòng)并提供阻尼。當(dāng)MOS管導(dǎo)通時(shí)，驅(qū)動(dòng)電阻通過(guò)減小電流來(lái)減小電流變化量，從而減少振動(dòng)。這在高頻開(kāi)關(guān)條件下尤其重要，因?yàn)樵诟哳l開(kāi)關(guān)條件下，阻尼不足，MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程可能會(huì)產(chǎn)生過(guò)多的電流尖峰，從而使

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]場(chǎng)效應(yīng)管G極與S極之間的電阻作用解析[ 2023-07-22 16:34 ]

場(chǎng)效應(yīng)管G極與S極之間的電阻作用解析MOS管具有三個(gè)內(nèi)在的寄生電容：Cgs、Cgd、Cds。這一點(diǎn)在MOS管的規(guī)格書(shū)中可以體現(xiàn)（規(guī)格書(shū)常用Ciss、Coss、Crss這三個(gè)參數(shù)代替）。MOS管之所以存在米勒效應(yīng)，以及ＧＳ之間要并電阻，其源頭都在于這三個(gè)寄生電容。MOS管內(nèi)部寄生電容示意IRF3205寄生電容參數(shù)1.MOS管的米勒效應(yīng)MOS管驅(qū)動(dòng)之理想與現(xiàn)實(shí)理想的MOS管驅(qū)動(dòng)波形應(yīng)是方波，當(dāng)Cgs達(dá)到門(mén)檻電壓之后， MOS管就會(huì)進(jìn)入飽和導(dǎo)通狀態(tài)。而實(shí)際上在MOS管的柵極驅(qū)動(dòng)過(guò)程中，會(huì)存在一個(gè)米勒平臺(tái)。米勒平臺(tái)實(shí)際上就

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[行業(yè)資訊]MOS管G極與S極之間的電阻作用解析[ 2023-06-08 17:29 ]

MOS管G極與S極之間的電阻作用解析MOS管具有三個(gè)內(nèi)在的寄生電容：Cgs、Cgd、Cds。這一點(diǎn)在MOS管的規(guī)格書(shū)中可以體現(xiàn)（規(guī)格書(shū)常用Ciss、Coss、Crss這三個(gè)參數(shù)代替）。MOS管之所以存在米勒效應(yīng)，以及ＧＳ之間要并電阻，其源頭都在于這三個(gè)寄生電容。MOS管內(nèi)部寄生電容示意IRF3205寄生電容參數(shù)1.MOS管的米勒效應(yīng)MOS管驅(qū)動(dòng)之理想與現(xiàn)實(shí)理想的MOS管驅(qū)動(dòng)波形應(yīng)是方波，當(dāng)Cgs達(dá)到門(mén)檻電壓之后， MOS管就會(huì)進(jìn)入飽和導(dǎo)通狀態(tài)。而實(shí)際上在MOS管的柵極驅(qū)動(dòng)過(guò)程中，會(huì)存在一個(gè)米勒平臺(tái)。米勒平臺(tái)實(shí)際上就

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]MOS管驅(qū)動(dòng)電路介紹[ 2023-02-28 18:31 ]

電源電路必須要有開(kāi)關(guān)，那么什么樣的開(kāi)關(guān)會(huì)比較好呢？經(jīng)常用的有三極管，MOS管等，各種開(kāi)關(guān)，其中MOS管它的導(dǎo)通內(nèi)阻很低，再加上開(kāi)和關(guān)速度極快，廣受歡迎，被用在各種開(kāi)關(guān)電源電路上。MOS管被用作開(kāi)關(guān)電路好處這么多，那怎么樣能用好它呢？也是有學(xué)問(wèn)的，其中它的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)就是最后關(guān)鍵的一步，下面旺哥給大家介紹幾個(gè)工作中常用的MOS管驅(qū)動(dòng)電路，希望大家喜歡。推挽驅(qū)動(dòng)電路此圖為一個(gè)推挽驅(qū)動(dòng)MOS管電路，它最大的優(yōu)勢(shì)就是提高驅(qū)動(dòng)能力，畢竟芯片驅(qū)動(dòng)能力有限。下面具體分析電路原理。當(dāng)我們想要打開(kāi)MOS管時(shí)，芯片IO口輸出一個(gè)高電平

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]MOS管驅(qū)動(dòng)原理圖介紹[ 2022-12-24 11:07 ]

MOS管驅(qū)動(dòng)原理圖介紹下圖為 MOS 驅(qū)動(dòng)電路的電路圖。驅(qū)動(dòng)電路采用 Totem 輸出結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，上拉驅(qū)動(dòng)管為 NMOS 管 N4、晶體管 Q1 和 PMOS 管 P5。下拉驅(qū)動(dòng)管為 NMOS 管 N5。圖中 CL 為負(fù)載電容，Cpar 為 B 點(diǎn)的寄生電容。虛線框內(nèi)的電路為自舉升壓電路。驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)思想是利用自舉升壓結(jié)構(gòu)將上拉驅(qū)動(dòng)管 N4 的柵極（B 點(diǎn)）電位抬升，使得 UB>VDD+VTH ，則 NMOS 管 N4 工作在線性區(qū)，使得 VDSN4 大大減小，最終可以實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)輸出高電平達(dá)到 VDD。而在輸出

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]MOS管驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)細(xì)節(jié)介紹[ 2022-11-08 17:22 ]

一般認(rèn)為MOSFET是電壓驅(qū)動(dòng)的，不需要驅(qū)動(dòng)電流。然而，在MOS的G S兩級(jí)之間有結(jié)電容存在，這個(gè)電容會(huì)讓驅(qū)動(dòng)MOS變的不那么簡(jiǎn)單。　　如果不考慮紋波和EMI等要求的話，MOS管開(kāi)關(guān)速度越快越好，因?yàn)殚_(kāi)關(guān)時(shí)間越短，開(kāi)關(guān)損耗越小，而在開(kāi)關(guān)電源中開(kāi)關(guān)損耗占總損耗的很大一部分，因此MOS管驅(qū)動(dòng)電路的好壞直接決定了電源的效率。　　對(duì)于一個(gè)MOS管，如果把GS之間的電壓從0拉到管子的開(kāi)啟電壓所用的時(shí)間越短，那么MOS管開(kāi)啟的速度就會(huì)越快。與此類(lèi)似，如果把MOS管的GS電壓從開(kāi)啟電壓降到0V的時(shí)間越短，那么MOS管關(guān)斷的速度也

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]「MOS場(chǎng)效應(yīng)管」驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)時(shí)快速開(kāi)啟和關(guān)閉mos管 - 壹芯微[ 2021-08-11 10:38 ]

「MOS場(chǎng)效應(yīng)管」驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)時(shí)快速開(kāi)啟和關(guān)閉mos管 - 壹芯微MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)，以下解析如何讓MOS管快速開(kāi)啟和關(guān)閉。一般認(rèn)為MOSFET（MOS場(chǎng)效應(yīng)管管）是電壓驅(qū)動(dòng)的，不需要驅(qū)動(dòng)電流。然而，在MOS管的G極和S極之間有結(jié)電容存在，這個(gè)電容會(huì)讓驅(qū)動(dòng)MOS變的不那么簡(jiǎn)單。如下圖的3個(gè)電容為MOS管的結(jié)電容，電感為電路走線的寄生電感：如果不考慮紋波、EMI和沖擊電流等要求的話，MOS管開(kāi)關(guān)速度越快越好因?yàn)殚_(kāi)關(guān)時(shí)間越短，開(kāi)關(guān)損耗越小，而在開(kāi)關(guān)電源中開(kāi)關(guān)損耗占總損耗的很大一部分，因此MOS管驅(qū)動(dòng)電路的好壞直接決定

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]「MOS場(chǎng)效應(yīng)管」的驅(qū)動(dòng)電路作用及相關(guān)知識(shí)-壹芯微[ 2021-08-06 16:17 ]

「MOS場(chǎng)效應(yīng)管」的驅(qū)動(dòng)電路作用及相關(guān)知識(shí)-壹芯微你知道什么是MOS(場(chǎng)效應(yīng)管)驅(qū)動(dòng)電路嗎？有什么作用？現(xiàn)在的MOS管驅(qū)動(dòng)，有幾個(gè)特別的需求一、低壓應(yīng)用當(dāng)使用5V電源，這時(shí)候如果使用傳統(tǒng)的圖騰柱結(jié)構(gòu)，由于三極管的be有0.7V左右的壓降，導(dǎo)致實(shí)際最終加在gate上的電壓只有4.3V。這時(shí)候，我們選用標(biāo)稱gate電壓4.5V的MOS管就存在一定的風(fēng)險(xiǎn)。同樣的問(wèn)題也發(fā)生在使用3V或者其他低壓電源的場(chǎng)合。二、寬電壓應(yīng)用輸入電壓并不是一個(gè)固定值，它會(huì)隨著時(shí)間或者其他因素而變動(dòng)。這個(gè)變動(dòng)導(dǎo)致PWM電路提供給MOS管的驅(qū)動(dòng)電壓

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]「12N65」關(guān)于分立器件場(chǎng)效應(yīng)MOS管驅(qū)動(dòng)電路解析 - 壹芯微[ 2021-08-03 16:59 ]

「12N65」關(guān)于分立器件場(chǎng)效應(yīng)MOS管驅(qū)動(dòng)電路解析 - 壹芯微12N65 TO-220 (12A,650V)N溝道直插 MOS場(chǎng)效應(yīng)管12N65(數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF)：點(diǎn)擊下載自主品牌廠家直銷(xiāo) 參數(shù)達(dá)標(biāo) 性能穩(wěn)定完美替代免費(fèi)樣品歡迎咨詢主要參數(shù)參數(shù)\型號(hào)12N65極性NID(A)12VDSS(V)650RDS(ON):Max(Ω)0.85RDS(ON):VGS(Ω)10VGS(th):(V)2~4Gfs(min):(S)7.8Gfs(min):Vgs(V)40Gfs(min):Io(A)

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]場(chǎng)效應(yīng)MOS管驅(qū)動(dòng)電路解析 - 壹芯微[ 2021-08-02 13:52 ]

場(chǎng)效應(yīng)MOS管驅(qū)動(dòng)電路解析 - 壹芯微現(xiàn)在的MOS驅(qū)動(dòng)，有幾個(gè)特別的需求1. 低壓應(yīng)用當(dāng)使用5V電源，這時(shí)候如果使用傳統(tǒng)的圖騰柱結(jié)構(gòu)，由于三極管的be有0.7V左右的壓降，導(dǎo)致實(shí)際最終加在gate上的電壓只有4.3V。這時(shí)候，我們選用標(biāo)稱gate電壓4.5V的MOS管就存在一定的風(fēng)險(xiǎn)。同樣的問(wèn)題也發(fā)生在使用3V或者其他低壓電源的場(chǎng)合。2. 寬電壓應(yīng)用輸入電壓并不是一個(gè)固定值，它會(huì)隨著時(shí)間或者其他因素而變動(dòng)。這個(gè)變動(dòng)導(dǎo)致PWM電路提供給MOS管的驅(qū)動(dòng)電壓是不穩(wěn)定的。為了讓MOS管在高gate電壓下安全，很多MOS管內(nèi)

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[行業(yè)資訊]「IRF3205」場(chǎng)效應(yīng)MOS管驅(qū)動(dòng)原理解析(圖) - 壹芯微[ 2021-07-28 09:20 ]

「IRF3205」場(chǎng)效應(yīng)MOS管驅(qū)動(dòng)原理解析(圖) - 壹芯微型號(hào)：IRF3205(110A,55V)封裝：TO-220/TO-262/TO-263品牌：壹芯微|類(lèi)型：場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET多種封裝尺寸不同參數(shù)一致免費(fèi)樣品歡迎咨詢下圖為MOS驅(qū)動(dòng)電路的電路圖。驅(qū)動(dòng)電路采用Totem輸出結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，上拉驅(qū)動(dòng)管為NMOS管N4、晶體管Q1和PMOS管P5。下拉驅(qū)動(dòng)管為NMOS管N5。圖中CL為負(fù)載電容，Cpar為B點(diǎn)的寄生電容。虛線框內(nèi)的電路為自舉升壓電路。驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)思想是利用自舉升壓結(jié)構(gòu)將上拉驅(qū)動(dòng)管N4的柵極

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]三極管及MOS管驅(qū)動(dòng)電路的正確用法[ 2021-03-09 15:43 ]

三極管及MOS管驅(qū)動(dòng)電路的正確用法1 三極管和MOS管的基本特性三極管是電流控制電流器件，用基極電流的變化控制集電極電流的變化。有NPN型三極管和PNP型三極管兩種，符號(hào)如下：MOS管是電壓控制電流器件，用柵極電壓的變化控制漏極電流的變化。有P溝道MOS管（簡(jiǎn)稱PMOS）和N溝道MOS管（簡(jiǎn)稱NMOS），符號(hào)如下（此處只討論常用的增強(qiáng)型MOS管）：2 三極管和MOS管的正確應(yīng)用（1）NPN型三極管，適合射極接GND集電極接負(fù)載到VCC的情況。只要基極電壓高于射極電壓（此處為GND）0.7V，即發(fā)射結(jié)正偏（VBE為正

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]模塊電源常用的四種MOSFET驅(qū)動(dòng)電路知識(shí)普及[ 2020-12-25 15:44 ]

模塊電源常用的四種MOSFET驅(qū)動(dòng)電路知識(shí)普及MOSFET又叫場(chǎng)效應(yīng)管，輸入電阻極大，兆歐級(jí)的，容易驅(qū)動(dòng)，因?qū)▋?nèi)阻低、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)而廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源中。在使用MOSFET設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源時(shí)，大部分人都會(huì)考慮導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流，常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)來(lái)選擇合適的電路。但很多時(shí)候僅僅考慮了這些因素并不是一個(gè)好的設(shè)計(jì)方案，還應(yīng)考慮本身寄生的參數(shù)。Mos管驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)腳輸出的峰值電流，上升速率等都會(huì)影響MOSFET的開(kāi)關(guān)性能。下面介紹下模塊電源中常用的幾種MOSFET驅(qū)動(dòng)電路。1、電源IC直接驅(qū)

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