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[常見問題解答]提升效率從選型開始：MOSFET在不同場景下的最佳搭配策略[ 2025-04-08 11:02 ]

在現(xiàn)代電子設(shè)計中，MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）已成為不可或缺的核心元件。其廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、功率管理、負(fù)載開關(guān)等多個領(lǐng)域。然而，如何針對具體的使用場景，選擇合適的MOSFET型號，直接決定了電路的效率、穩(wěn)定性與壽命。一、電源轉(zhuǎn)換：高頻、高壓場景下的首選邏輯在開關(guān)電源或DC-DC變換器中，MOSFET承載著頻繁開關(guān)的大電流，其導(dǎo)通損耗與開關(guān)速度對轉(zhuǎn)換效率有著決定性影響。此類場景優(yōu)先考慮具備以下特性的MOSFET：低R<sub>DS(on)</sub>、高速開關(guān)能力（

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[常見問題解答]TVS瞬態(tài)抑制二極管如何有效抑制電壓瞬變[ 2025-02-08 10:33 ]

TVS瞬態(tài)抑制二極管（Transient Voltage Suppressor，簡稱TVS）是一種關(guān)鍵的半導(dǎo)體器件，主要用于防止電子設(shè)備因瞬態(tài)電壓沖擊而受損。瞬態(tài)電壓可能來源于雷擊、電感負(fù)載開關(guān)或靜電放電等外部干擾。本文將詳細(xì)解析TVS瞬態(tài)抑制二極管如何有效抑制電壓瞬變，幫助讀者更好地理解其工作原理及實(shí)際應(yīng)用價值。一、TVS瞬態(tài)抑制二極管的工作原理TVS二極管的核心工作原理是基于PN結(jié)的雪崩擊穿效應(yīng)。當(dāng)外部電壓超過擊穿電壓時，PN結(jié)迅速進(jìn)入雪崩擊穿狀態(tài)，形成低阻抗通道，將瞬時高電壓迅速導(dǎo)向地面，保護(hù)敏感的電子元件免

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[技術(shù)文章]BCX53 典型應(yīng)用電路[ 2024-05-10 12:01 ]

BCX53是一款PNP型功率晶體管，常見于各種電子設(shè)備中，具有廣泛的應(yīng)用場景和特點(diǎn)。一、應(yīng)用場景：1. BCX53常被用于低至中等功率的放大和開關(guān)電路中。例如，它可以用作音頻放大器的輸出級，以及各種控制電路中的開關(guān)元件。2. BCX53還可用于電源管理電路中，特別是在直流-直流轉(zhuǎn)換器和逆變器中，用于控制和調(diào)節(jié)電源輸出。3. 在各種自動化和控制系統(tǒng)中，BCX53也扮演著重要角色，用于傳感器信號的放大和控制信號的開關(guān)。4. 由于其PNP型結(jié)構(gòu)，BCX53還適用于負(fù)載開關(guān)電路，特別是在需要正負(fù)電源的情況下，如電源管理模塊

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[技術(shù)文章]BAT54A 典型應(yīng)用電路[ 2024-04-29 14:25 ]

BAT54A是一款常用的肖特基二極管，廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代電子設(shè)備中。它的主要應(yīng)用場景和參數(shù)特點(diǎn)可以分開詳細(xì)說明如下：一、應(yīng)用場景：1. 電壓整流：在小型電源適配器和電源模塊中的整流環(huán)節(jié)，BAT54A因其低正向壓降和快速開關(guān)特性，經(jīng)常被用于幫助將交流電轉(zhuǎn)換為直流電。2. 信號處理：在信號處理電路中，BAT54A可用于削波、限幅和阻塞逆向信號，保證電路的信號完整性。3. 負(fù)載開關(guān)：用于各種電子設(shè)備中作為開關(guān)二極管，BAT54A能有效控制負(fù)載的開啟和關(guān)閉，特別是在微功耗設(shè)備中具有廣泛應(yīng)用。4. 保護(hù)電路：在防止電壓反轉(zhuǎn)的保護(hù)

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[技術(shù)文章]BSS84 典型應(yīng)用電路[ 2024-04-26 15:27 ]

BSS84 是一種常見的P型場效應(yīng)晶體管（MOSFET），它因其出色的性能和靈活的應(yīng)用范圍而廣泛用于電子行業(yè)。以下是對 BSS84 的應(yīng)用場景和參數(shù)特點(diǎn)的深入分析：一、應(yīng)用場景1. 電源管理系統(tǒng)： BSS84 以其較低的開啟閾值和優(yōu)秀的開關(guān)性能，成為移動設(shè)備電源管理電路的首選。它能夠精確控制電源的啟動和關(guān)閉，極大地提升能源效率，延長設(shè)備的電池壽命。2. 負(fù)載開關(guān)應(yīng)用：對于需要控制微小電流負(fù)載的場合， BSS84 顯示出其獨(dú)特的優(yōu)勢。這包括用于控制LED燈的亮度及其它小型家電的電源開關(guān)。3. 電平轉(zhuǎn)換功能：由于 BS

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[技術(shù)文章]AO3401A 典型應(yīng)用電路[ 2024-04-24 16:40 ]

AO3401A 是一種常用的P溝道MOSFET，廣泛應(yīng)用于電源管理、負(fù)載開關(guān)、電池保護(hù)和DC-DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。這種器件以其高效率和低功耗而聞名，非常適用于需要增強(qiáng)電源效率和延長電池壽命的便攜式電子設(shè)備。AO3401A 的參數(shù)特點(diǎn)包括低門極電壓（Vgs），通常為-20V，以及較高的漏源電壓（Vds），最高可達(dá)-30V。此外，AO3401A 的漏電流極低，通常在微安級別，使得它非常適合用于低功耗應(yīng)用。此外，這款MOSFET具有較低的導(dǎo)通阻抗，提高了設(shè)備的整體效率。在實(shí)際應(yīng)用中，AO3401A 通常用于便攜式設(shè)備的電池

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[技術(shù)文章]SI2302 典型應(yīng)用電路[ 2024-04-22 16:27 ]

SI2302是一種常用的N通道MOSFET，廣泛應(yīng)用于多種電子電路中，例如電源管理、電池充電、DC-DC轉(zhuǎn)換器和負(fù)載開關(guān)等。它因具備優(yōu)良的導(dǎo)通和開關(guān)性能，以及高效的功率管理能力而受到青睞。SI2302的參數(shù)特點(diǎn)主要包括其較低的閾值電壓和較高的漏電流容忍度。具體來說，它的閾值電壓通常在1.5V到2.5V之間，這使得SI2302能夠在較低的門控電壓下就能有效開通，非常適合于低電壓應(yīng)用場景。此外，SI2302能夠承受的漏電流較高，最大可達(dá)4.3A，這一特性使其在處理大電流應(yīng)用時顯示出較強(qiáng)的性能。在應(yīng)用場景中，SI2302

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[常見問題解答]晶體管BJT高低邊開關(guān)介紹[ 2023-07-01 17:02 ]

晶體管BJT高低邊開關(guān)介紹晶體管BJT高低邊開關(guān)引言：之前有介紹了MOS類型的高低邊負(fù)載開關(guān)，MOS類型高低邊開關(guān)固有其優(yōu)勢，比如壓降小，損耗低，控制簡易，使用場景也比BJT類型的高低邊開關(guān)廣泛，但是在需要控制負(fù)載電流的場景，BJT負(fù)載開關(guān)卻更有優(yōu)勢，比如汽車車燈，工業(yè)照明，恒定電流源等場景。1.低邊開關(guān)如圖5-1為NPN型BJT低邊開關(guān)，用來驅(qū)動LED負(fù)載，R2為限流分壓電阻。圖5-1：BJT低邊開關(guān)2.高邊開關(guān)如圖5-2為NPN型BJT高邊開關(guān)，用來驅(qū)動LED負(fù)載，R2為限流分壓電阻。高邊開關(guān)和底邊開關(guān)的計算可

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[常見問題解答]用單PMOS怎么做分立式負(fù)載開關(guān)[ 2023-07-01 16:42 ]

用單PMOS怎么做分立式負(fù)載開關(guān)分立式PMOS負(fù)載開關(guān)本文分析PMOS用作高邊負(fù)載開關(guān)天生的優(yōu)勢以及設(shè)計方法。1.負(fù)載開關(guān)的類型圖3-1：NMOS和PMOS寄生模型在深入研究關(guān)鍵參數(shù)之前，我們先來看看不同類型的負(fù)載開關(guān)。高壓側(cè)負(fù)載開關(guān)將負(fù)載與電源連接或斷開，由外部啟用信號控制開關(guān)將高壓側(cè)電源電流切換到負(fù)載。而低壓側(cè)開關(guān)將負(fù)載與地連接或斷開，從而從負(fù)載吸收電流。負(fù)載開關(guān)可以容易地用MOSFET實(shí)現(xiàn)，MOSFET將電流從電源傳遞到負(fù)載，并通過控制信號接通或斷開。將控制信號提供給MOSFET的柵極驅(qū)動電路以接通或斷開MO

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[常見問題解答]用單NMOS設(shè)計負(fù)載開關(guān)介紹[ 2023-07-01 16:26 ]

用單NMOS設(shè)計負(fù)載開關(guān)介紹分立式NMOS負(fù)載開關(guān)引言：需要通過負(fù)載開關(guān)將電路或子系統(tǒng)與電源斷開有幾個原因，一個非常簡單和常見的原因是，它有助于節(jié)省電力。無電源的子系統(tǒng)可能不會因漏電或備用電流而消耗電力，但在便攜式電子設(shè)備中負(fù)載開關(guān)還可用于防止電涌、電池插入錯誤和其他可能通過電源進(jìn)入的損壞事件造成的損壞。1.負(fù)載開關(guān)的類型圖2-1：NMOS和PMOS寄生模型在深入研究關(guān)鍵參數(shù)之前，我們先來看看不同類型的負(fù)載開關(guān)。高壓側(cè)負(fù)載開關(guān)將電源連接或斷開與負(fù)載的連接，開關(guān)由外部啟用信號控制，高壓側(cè)將電源電流切換到負(fù)載。低壓側(cè)開

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[常見問題解答]用雙MOS怎么設(shè)計負(fù)載開關(guān)[ 2023-06-26 18:25 ]

用雙MOS怎么設(shè)計分立式負(fù)載開關(guān)引言：基于單個MOSFET拓?fù)涞呢?fù)載開關(guān)只能阻斷一個方向的電流，由于MOSFET有一個固有的體二極管，如果存在反向電流，它們的作用就像處于導(dǎo)通狀態(tài)的二極管。在一些應(yīng)用中，需要能夠阻斷兩個方向的電流，例如電池驅(qū)動應(yīng)用，其中應(yīng)防止電池在充電器連接器側(cè)短路等故障情況下放電，或在電氣故障導(dǎo)致連接電纜和交流適配器泄露的情況下放電。1.具有反向電流保護(hù)的共漏極負(fù)載開關(guān)，共漏雙NMOS更全面的負(fù)載開關(guān)功能包括反向電壓保護(hù)、反向電流保護(hù)，這些可以用共漏極或共源極配置的MOSFET實(shí)現(xiàn)。阻斷反向電流的

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[行業(yè)資訊]電路分析：NMOS開關(guān)電路介紹[ 2023-05-25 17:58 ]

電路分析：NMOS開關(guān)電路介紹概述上文和大家討論了PMOS的負(fù)載開關(guān)電路，使用PMOS來控制后繼電路的開關(guān)。然而在日常應(yīng)用中PMOS可供選擇的類型較少，價格也相對昂貴。因此選用NMOS作為開關(guān)電路選型范圍較多，成本也更加劃算，尤其針對一些低壓1V、1.8V、3.3V大電流應(yīng)用中更有優(yōu)勢。電路分析如下圖搭建NMOS開關(guān)電路其中Q1、Q2為控制電路R3端口加入3.3V脈沖激勵源作為使能EN信號，使能信號高有效，當(dāng)脈沖為高電平時NPN三極管Q1導(dǎo)通，PNP三極管Q2導(dǎo)通，NMOSQ3的基極電壓為R5和R6分壓所得，R7為

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[常見問題解答]電路分析：PMOS開關(guān)電路介紹[ 2023-05-25 17:51 ]

電路分析：PMOS開關(guān)電路介紹概述負(fù)載開關(guān)電路日常應(yīng)用比較廣泛，主要用來控制后級負(fù)載的電源開關(guān)。此功能可以直接用IC也可以用分立器件搭建，分立器件主要用PMOS加三極管實(shí)現(xiàn)。本文主要討論分立器件的實(shí)現(xiàn)的細(xì)節(jié)。電路分析如下圖所示R5模擬后級負(fù)載，Q1為開關(guān)，當(dāng)R3端口的激勵源為高電平時，Q2飽和導(dǎo)通，MOS管Q1的VGS提出問題當(dāng)Q1導(dǎo)通上電瞬間電容兩端電壓不能突變會出現(xiàn)很高的沖擊電流。此電流很可能會損壞MOS管或者觸發(fā)前級電源的過流保護(hù)，所以此沖擊電流并不是我們想要的。接下來給R3端口加單脈沖激勵源，觀察Q1(D)

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[常見問題解答]晶體管的負(fù)載開關(guān)介紹[ 2022-08-26 16:57 ]

關(guān)于負(fù)載開關(guān)ON時的浪涌電流負(fù)載開關(guān)Q1導(dǎo)通瞬間會暫時流過比穩(wěn)態(tài)電流大得多的電流。輸出側(cè)的負(fù)載容量CL的電荷接近零時，向輸出VO施加電壓的瞬間會流過大充電電流。這種流過大電流的現(xiàn)象稱作浪涌電流（Flash Current）。浪涌電流的峰值大體可以通過輸入電壓VI、MOSFET Q1的RDS(on)和負(fù)載側(cè)負(fù)載容量CL的ESR確定，輸入電壓VIN變大時，電流也相應(yīng)變大。浪涌電流顯著變大時，有可能會引起誤動作和系統(tǒng)問題。而且，在超過最大額定電流時，有導(dǎo)致破壞的危險。通過與MOSFET Q1的柵極、源極間電阻R1并聯(lián)追加

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[行業(yè)資訊]TPS22901YFPR中文資料PDF與引腳圖封裝[ 2022-02-14 16:16 ]

TPS22901YFPR中文資料PDF與引腳圖封裝描述TPS22901YFPR是一款小型低導(dǎo)通電阻(rON)負(fù)載開關(guān)，具有可控導(dǎo)通功能。該器件包含一個P溝道MOSFET，可在1.0至3.6V的輸入電壓范圍內(nèi)工作。該開關(guān)由開/關(guān)輸入(ON)控制，可直接與低壓控制信號連接。TPS22901采用0.4mm間距、節(jié)省空間的4引腳DSBGA(YFP)封裝。該設(shè)備的特點(diǎn)是可在-40至85°C的自由空氣溫度范圍內(nèi)運(yùn)行。產(chǎn)品概述制造商德州儀器制造商產(chǎn)品編號TPS22901YFPR供應(yīng)商德州儀器描述IC PWR 開關(guān) P-C

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[行業(yè)資訊]TPS22901YFPR中文資料PDF與引腳圖封裝 - 壹芯微[ 2022-02-11 15:23 ]

TPS22901YFPR中文資料PDF與引腳圖封裝 - 壹芯微描述TPS22901YFPR是一款小型低導(dǎo)通電阻(rON)負(fù)載開關(guān)，具有可控導(dǎo)通功能。該器件包含一個P溝道MOSFET，可在1.0至3.6V的輸入電壓范圍內(nèi)工作。該開關(guān)由開/關(guān)輸入(ON)控制，可直接與低壓控制信號連接。TPS22901采用0.4mm間距、節(jié)省空間的4引腳DSBGA(YFP)封裝。該設(shè)備的特點(diǎn)是可在-40至85°C的自由空氣溫度范圍內(nèi)運(yùn)行。產(chǎn)品概述制造商德州儀器制造商產(chǎn)品編號TPS22901YFPR供應(yīng)商德州儀器描述IC PWR

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[常見問題解答]低內(nèi)阻場效應(yīng)管 4N10 國產(chǎn)MOS管替換 MOSFET應(yīng)用領(lǐng)域[ 2021-11-11 18:16 ]

低內(nèi)阻場效應(yīng)管 4N10 國產(chǎn)MOS管替換 MOSFET應(yīng)用領(lǐng)域低內(nèi)阻場效應(yīng)管 4N10的特點(diǎn)：VDS=100VID=3.8ARDS(ON)＜240mΩ@VGS=10V封裝：SOT-23-3L低內(nèi)阻場效應(yīng)管 4N10的應(yīng)用領(lǐng)域：負(fù)載開關(guān)電池保護(hù)不間斷電源低內(nèi)阻場效應(yīng)管 4N10的極限值：(如無特殊說明，TC=25℃)漏極-源極電壓 VDS：100V柵極-源極電壓 VGS：±20V漏極電流-連續(xù) ID：3.5A漏極電流-脈沖 IDM：8A總耗散功率 PD：3.76W存儲溫度 TSTG：-55~150℃工

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[行業(yè)資訊]3N80ZL-TN3-R場效應(yīng)管參數(shù)規(guī)格書 MOS管廠家直營 - 壹芯微[ 2021-09-24 15:37 ]

3N80ZL-TN3-R場效應(yīng)管參數(shù)規(guī)格書 MOS管廠家直營 - 壹芯微型號：3N80ZL-TN3-R 極性：N溝道；電壓：700V 電流：2A；封裝：TO-252 促銷價格/免費(fèi)樣品/選型替代/原廠直銷3N80ZL-TN3-R參數(shù)中文資料,3N80ZL-TN3-R封裝管腳引腳圖,3N80ZL-TN3-R規(guī)格書:查看下載3N80ZL-TN3-R的概述：3N80Z 提供出色的 RDS(ON)、低柵極電荷和以低柵極電壓運(yùn)行。該設(shè)備適用于用作負(fù)載開關(guān)或在 PWM 應(yīng)用中。3N80ZL-TN3-R的特性：* RDS(ON

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[常見問題解答]使用MOS場效應(yīng)管實(shí)現(xiàn)低功耗雙穩(wěn)態(tài)電路 - 壹芯微[ 2021-09-18 12:27 ]

使用MOS場效應(yīng)管實(shí)現(xiàn)低功耗雙穩(wěn)態(tài)電路 - 壹芯微雙穩(wěn)態(tài)電路是我們經(jīng)常用于作為單鍵控制負(fù)載開關(guān)電路。在這里我介紹一個由兩個MOS管構(gòu)成的低功耗雙穩(wěn)態(tài)電路。如圖假設(shè)Q1的G極輸入是高電平，Q1導(dǎo)通，輸出低電平，低電平接到Q2的G極，Q2截止，Q2輸出高電平，所以Q3也截止，LED燈滅。此時由于Q1輸出端D極為低電平，故電容C1通過R3放電。按下開關(guān)S1后，Q1輸入端G極變成低電平，Q1截止，輸出高電平，高電平接到Q2的G極，Q2導(dǎo)通，Q2輸出低電平，所以Q3也導(dǎo)通，LED燈亮。壹芯微致力于半導(dǎo)體器件、集成電路、功率器

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[行業(yè)資訊]AO3415中文資料(貼片MOS場效應(yīng)管)參數(shù)封裝規(guī)格書pdf 現(xiàn)貨廠家[ 2021-08-23 14:11 ]

型號：AO3415；極性：P溝道；ID/VDSS：-4A/-20V；封裝：SOT-23 AO3415 使用先進(jìn)的溝槽技術(shù)提供出色的Rds(ON)、低柵極電荷和低至1.8V的柵極電壓操作。該設(shè)備適合用作負(fù)載開關(guān)應(yīng)用。

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