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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]CMOS與非門(mén)電路的輸入端電阻：設(shè)計(jì)選擇與性能影響[ 2024-11-04 12:08 ]

CMOS與非門(mén)電路的輸入端電阻是電子電路設(shè)計(jì)中的一個(gè)重要因素，它直接關(guān)系到電路的性能和可靠性。深入理解這兩種電路的輸入端電阻特性，可以幫助工程師在實(shí)際應(yīng)用中作出更有效的設(shè)計(jì)選擇，確保電路在各種工作條件下穩(wěn)定運(yùn)行。首先，CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）電路以其高輸入阻抗而受到廣泛歡迎，通常可達(dá)兆歐級(jí)別。這一特性使CMOS電路能夠以極低的輸入電流接收信號(hào)，從而減少功耗并避免對(duì)信號(hào)源造成負(fù)擔(dān)。需要注意的是，當(dāng)輸入端處于懸空狀態(tài)時(shí)，電位可能會(huì)變得不穩(wěn)定，影響邏輯信號(hào)的正確性。為避免此類(lèi)問(wèn)題，設(shè)計(jì)師通常會(huì)通過(guò)限流電阻將不使用

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]如何優(yōu)化CMOS數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)？技術(shù)指南與實(shí)用建議[ 2024-07-29 16:40 ]

在電子系統(tǒng)中，CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）技術(shù)被廣泛采用，其數(shù)字集成電路因具備多種顯著優(yōu)勢(shì)而成為關(guān)鍵組成部分。本文深入探討了CMOS數(shù)字集成電路的結(jié)構(gòu)、工作原理以及其在各領(lǐng)域的應(yīng)用。一、CMOS數(shù)字集成電路特點(diǎn)CMOS電路是一種特別的數(shù)字化集成電路，使用了互補(bǔ)的P型和N型MOSFET。它們以非常低的功耗運(yùn)作，這得益于其獨(dú)特的互補(bǔ)門(mén)結(jié)構(gòu)，確保了只有在狀態(tài)切換時(shí)才消耗電力。這種設(shè)計(jì)不僅顯著減少了能耗，也使得CMOS技術(shù)特別適用于電池驅(qū)動(dòng)的設(shè)備如移動(dòng)電話(huà)和便攜式計(jì)算機(jī)等。由于其高效的功率管理和電壓適應(yīng)性，CMOS電路

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]揭秘電路設(shè)計(jì)：上拉電阻與下拉電阻的關(guān)鍵作用[ 2024-04-26 10:50 ]

電阻在電路設(shè)計(jì)中起著重要的電流限制作用，特別是上拉電阻和下拉電阻。這些電阻廣泛應(yīng)用于系統(tǒng)中，通常被統(tǒng)稱(chēng)為“拉電阻”。它們的核心功能是將狀態(tài)不明的信號(hào)線(xiàn)通過(guò)電阻拉至高電平（上拉）或低電平（下拉），不同的應(yīng)用環(huán)境對(duì)阻值的要求各不相同。下拉電阻和上拉電阻在電路中有多種用途。首先，它們可以固定開(kāi)關(guān)管關(guān)閉時(shí)的電路節(jié)點(diǎn)電平。例如，當(dāng)TTL電路驅(qū)動(dòng)CMOS電路時(shí)，如果TTL輸出的高電平低于CMOS電路要求的最低高電平，通常需要在TTL輸出端加上拉電阻以提升高電平電壓。此外，OC門(mén)電路也必須加裝上拉電阻，以

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]觸摸開(kāi)關(guān)原理解析和電路設(shè)計(jì)介紹[ 2022-12-16 15:46 ]

這是一個(gè)用4013組成的觸摸開(kāi)關(guān)電路,只要用手觸摸一次開(kāi)關(guān)即可接通,再觸摸一次開(kāi)關(guān)斷開(kāi)。電路原理圖見(jiàn)下圖所示。由于CMOS電路的輸入端均為場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)，而場(chǎng)效應(yīng)管是一種電壓控制元件，它有極高的輸入阻抗，約幾十兆歐。它的輸入端幾乎不消耗電流，因此只要用手觸摸，人體產(chǎn)生的微弱感應(yīng)電壓就足可以使電路翻轉(zhuǎn)。在本電路中，IC1A與R1、C1組成單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器，用來(lái)執(zhí)行延時(shí)和消除觸摸時(shí)的干擾和抖動(dòng)。電路輸入端第3腳所加的二極管VD1為輸入端保護(hù)二極管，用來(lái)泄放積累的電荷和過(guò)高的反向電壓。IC1B接成雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器形式，用來(lái)控制繼電

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]cmos電路中esd保護(hù)結(jié)構(gòu)原理及應(yīng)用[ 2022-11-29 15:21 ]

ESD(靜電放電)是CMOS電路中最為嚴(yán)重的失效機(jī)理之一，嚴(yán)重的會(huì)造成電路自我燒毀。論述了CMOS集成電路ESD保護(hù)的必要性，研究了在CMOS電路中ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)原理，分析了該結(jié)構(gòu)對(duì)版圖的相關(guān)要求，重點(diǎn)討論了在I/O電路中ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)要求。1 引言靜電放電會(huì)給電子器件帶來(lái)破壞性的后果，它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發(fā)展，CMOS電路的特征尺寸不斷縮小，管子的柵氧厚度越來(lái)越薄，芯片的面積規(guī)模越來(lái)越大，MOS管能承受的電流和電壓也越來(lái)越小，而外圍的使用環(huán)境并未改變，因此要進(jìn)一步優(yōu)

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]電源分布網(wǎng)絡(luò)分解介紹 | 壹芯微[ 2022-08-30 15:44 ]

上一篇文章《電源分布網(wǎng)絡(luò)介紹》里已經(jīng)大概介紹了一下，由于CMOS電路的電流會(huì)隨著時(shí)間變化而變化，而電源分布網(wǎng)絡(luò)又對(duì)不同頻率的電流信號(hào)表現(xiàn)出不同的阻抗，這些變化的電流和變化的阻抗最終形成了電源噪聲。所以這一節(jié)我們就詳細(xì)分解一下電源分布網(wǎng)絡(luò)，看看電源分布網(wǎng)絡(luò)都有哪些部分。通常情況下，一個(gè)系統(tǒng)級(jí)的電源分布網(wǎng)絡(luò)主要包含四個(gè)部分：電壓調(diào)節(jié)器（也就是我們通常說(shuō)的電源變換電路），PCB，封裝以及硅片，如下圖所示：每次當(dāng)芯片上的電路有翻轉(zhuǎn)動(dòng)作，就會(huì)產(chǎn)生一個(gè)瞬變的動(dòng)態(tài)電流需求，而外部的供電系統(tǒng)就通過(guò)這個(gè)電源分布網(wǎng)絡(luò)來(lái)給芯片上的電路

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]74HC164的原理及作用解析|壹芯微[ 2022-04-23 16:18 ]

74HC164的原理及作用解析|壹芯微 74HC164是高速硅門(mén)CMOS電路，管腳與低功耗肖特基TTL(LSTTL)系列兼容。74hc164是8位的串入并出、邊沿觸發(fā)的移位寄存器，串入數(shù)據(jù)由DSA、DSB輸入，在每個(gè)時(shí)鐘CP的上升沿?cái)?shù)據(jù)向右移一位，數(shù)據(jù)由DSA和...

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]CMOS集成電路低功耗的設(shè)計(jì)方法介紹[ 2021-12-22 11:33 ]

CMOS集成電路低功耗的設(shè)計(jì)方法介紹目前，隨著一些便攜式電子系統(tǒng)，如筆記本電腦、PDA、手機(jī)等的廣泛應(yīng)用，集成電路的功耗也被提到與面積和速度同等重要的位置。如果仍使用傳統(tǒng)的技術(shù)，就可能負(fù)擔(dān)相當(dāng)重量的電池，或者電池的使用時(shí)間相當(dāng)短;而隨著集成電路集成度的提高，在設(shè)計(jì)時(shí)若不考慮功耗問(wèn)題，可能會(huì)使電路某些部分因功耗過(guò)大引起溫度過(guò)高，導(dǎo)致系統(tǒng)工作不穩(wěn)定或失效;功耗過(guò)大也會(huì)給封裝帶來(lái)很大困難，因此本文分別對(duì)CMOS集成電路的功耗來(lái)源和低功耗的設(shè)計(jì)方法及設(shè)計(jì)工具等進(jìn)行了介紹。1.CMOS電路功耗的來(lái)源CMOS電路中有兩種主要的

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]CMOS集成電路低功耗的設(shè)計(jì)方法介紹[ 2021-12-01 16:42 ]

CMOS集成電路低功耗的設(shè)計(jì)方法介紹目前，隨著一些便攜式電子系統(tǒng)，如筆記本電腦、PDA、手機(jī)等的廣泛應(yīng)用，集成電路的功耗也被提到與面積和速度同等重要的位置。如果仍使用傳統(tǒng)的技術(shù)，就可能負(fù)擔(dān)相當(dāng)重量的電池，或者電池的使用時(shí)間相當(dāng)短;而隨著集成電路集成度的提高，在設(shè)計(jì)時(shí)若不考慮功耗問(wèn)題，可能會(huì)使電路某些部分因功耗過(guò)大引起溫度過(guò)高，導(dǎo)致系統(tǒng)工作不穩(wěn)定或失效;功耗過(guò)大也會(huì)給封裝帶來(lái)很大困難，因此本文分別對(duì)CMOS集成電路的功耗來(lái)源和低功耗的設(shè)計(jì)方法及設(shè)計(jì)工具等進(jìn)行了介紹。1.CMOS電路功耗的來(lái)源CMOS電路中有兩種主要的

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]詳解MOS管N溝道與P溝道兩種類(lèi)型 - 壹芯微[ 2021-08-16 13:35 ]

詳解MOS管N溝道與P溝道兩種類(lèi)型 - 壹芯微了解MOS/CMOS集成電路MOS集成電路特點(diǎn)：制造工藝比較簡(jiǎn)單、成品率較高、功耗低、組成的邏輯電路比較簡(jiǎn)單，集成度高、抗干擾能力強(qiáng)，特別適合于大規(guī)模集成電路。MOS集成電路包括:NMOS管組成的NMOS電路、PMOS管組成的PMOS電路及由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補(bǔ)MOS電路，即CMOS電路。PMOS門(mén)電路與NMOS電路的原理完全相同，只是電源極性相反而已。數(shù)字電路中MOS集成電路所使用的MOS管均為增強(qiáng)型管子，負(fù)載常用MOS管作為有源負(fù)載，這樣不僅節(jié)省了硅

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]CMOS電路的作用與原理圖解 - 壹芯微[ 2021-08-16 11:51 ]

CMOS電路的作用與原理圖解 - 壹芯微靜態(tài)功耗低，邏輯擺幅大，抗干擾能力強(qiáng)，可在較廣泛的電源電壓范圍內(nèi)工作，速度快，在模擬電路中應(yīng)用，與NMOS電路相比，集成度稍低，有“自鎖效應(yīng)”，影響電路正常工作。1. CMOS電路作用(COMS電路原理)2. CMOS電路圖(CMOS電路圖)3. CMOS電路原理CMOS電路原理是由于兩管柵極工作電壓極性相反，故將兩管柵極相連作為輸入端，兩個(gè)漏極相連作為輸出端，如圖1(a)所示，則兩管正好互為負(fù)載，處于互補(bǔ)工作狀態(tài)。(COMS電路原理)當(dāng)輸入低電平(V

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]CMOS電路故障問(wèn)題解決的方法 - 壹芯微[ 2021-08-16 11:14 ]

CMOS電路故障問(wèn)題解決的方法 - 壹芯微對(duì)于CMOS一詞，很多人都有所耳聞，因?yàn)閷?shí)際應(yīng)用中，CMOS占據(jù)占據(jù)了很高的地位，本文中，小編主要講解CMOS掉電電路故障以及一些CMOS電路故障的解決方法。一、CMOS掉電時(shí)的注意事項(xiàng)(1) 在換主機(jī)板電池的時(shí)候一定要挑選質(zhì)量好點(diǎn)的電池，因?yàn)榻?jīng)常有那些因?yàn)樗鶕Q電池質(zhì)量不佳所造成的，幾個(gè)月后電池又沒(méi)電了的情況。如果所換電池質(zhì)量較好一點(diǎn)，使用時(shí)間不長(zhǎng)，就出現(xiàn)CMOS掉電，大概率是主機(jī)板上的電路有問(wèn)題了。(2)更換電池的時(shí)侯注意檢查原來(lái)的電池是否有漏液的情況，如有漏液必須將主板

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]CMOS知識(shí)普及-分析CMOS電路中的阱[ 2020-11-10 17:01 ]

CMOS知識(shí)普及-分析CMOS電路中的阱CMOS電路中的阱在CMOS電路的工藝結(jié)構(gòu)中,應(yīng)用在襯底上形成反型的阱是一大特點(diǎn)。已有的多種CMOS電路阱的類(lèi)別,有p阱、n阱、雙阱及倒轉(zhuǎn)阱等(圖4-3-3)。CMOS電路中的阱-p阱在a型襯底上,以離子注入摻雜使阱區(qū)域有足夠的濃度,以補(bǔ)償襯底上的n型摻雜并形成一個(gè)p阱區(qū)。n型起始材料的摻雜濃度也必須保證能使在其上制備的p溝器件特性符合要求(一般而言,其濃度約3X1014~1X1015 /cm3)。p阱的摻雜濃度也必須高于n型襯底濃度5~10倍。摻雜過(guò)濃也將損害n溝器件的性能

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]元器件知識(shí)-元器件選型時(shí)的必知基礎(chǔ)知識(shí)[ 2020-09-16 16:05 ]

元器件知識(shí)-元器件選型時(shí)的必知基礎(chǔ)知識(shí)元器件是電子元件和小型的機(jī)器、儀器的組成部分，其本身常由若干零件構(gòu)成，可以在同類(lèi)產(chǎn)品中通用；常指電器、無(wú)線(xiàn)電、儀表等工業(yè)的某些零件，是電容、晶體管、游絲、發(fā)條等電子器件的總稱(chēng)。器件選型時(shí)，這幾個(gè)通識(shí)的基礎(chǔ)知識(shí)必須掌握,器件選型的思考的深度和廣度，非常能考驗(yàn)設(shè)計(jì)者的功力，同時(shí)最后也落實(shí)到產(chǎn)品的質(zhì)量水平上。（一）綜合考慮（1）易產(chǎn)生應(yīng)用可靠性問(wèn)題的器件1、對(duì)外界應(yīng)力敏感的器件CMOS電路：對(duì)靜電、閂鎖、浪涌敏感小信號(hào)放大器：對(duì)過(guò)電壓、噪聲、干擾敏感塑料封裝器件：對(duì)濕氣、熱沖擊、溫度

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]n-mosfet圖文知識(shí)概述-如何判斷n-mosfet及P-mosfet[ 2020-09-15 11:05 ]

n-mosfet圖文知識(shí)概述-如何判斷n-mosfet及P-mosfet什么是n-mosfetn-mosfet英文全稱(chēng)為N-Metal-Oxide-Semiconductor。意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體，而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱(chēng)之為NMOS晶體管。 MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構(gòu)成的集成電路稱(chēng)為MOS集成電路，由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路，由PMOS管組成的電路就是PMOS集成電路，由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補(bǔ)MOS電路，即CMOS電路。n-mosfet結(jié)

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]淺析N溝道MOS管與P溝道MOS管在電路中的詳細(xì)應(yīng)用[ 2020-04-08 10:25 ]

淺析N溝道MOS管與P溝道MOS管在電路中的詳細(xì)應(yīng)用MOS管集成電路特點(diǎn)：該文主要是N溝道MOS管和P溝道MOS管在電路中的詳細(xì)應(yīng)用講制造工藝比較簡(jiǎn)單、成品率較高、功耗低、組成的邏輯電路比較簡(jiǎn)單，集成度高、抗干擾能力強(qiáng)，特別適合于大規(guī)模集成電路。MOS管集成電路包括:N溝道MOS管組成的N溝道MOS管電路、P溝道MOS管組成的P溝道MOS管電路及由N溝道MOS管和P溝道MOS管兩種管子組成的互補(bǔ)MOS電路，即CMOS電路。P溝道MOS管門(mén)電路與N溝道MOS管電路的原理完全相同，只是電源極性相反而已。數(shù)字電路中MOS

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]nmos結(jié)構(gòu)示意圖及工作原理(耗盡型和增強(qiáng)型)-nmos基礎(chǔ)知識(shí)[ 2019-12-25 13:48 ]

nmos結(jié)構(gòu)示意圖與工作原理詳解（nmos耗盡型與增強(qiáng)型）-nmos基礎(chǔ)知識(shí)nmos概述nmos結(jié)構(gòu)示意圖是本文的重點(diǎn)，NMOS英文全稱(chēng)為N-Metal-Oxide-Semiconductor。意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體，而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱(chēng)之為NMOS晶體管。 MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構(gòu)成的集成電路稱(chēng)為MOS集成電路，由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路，由PMOS管組成的電路就是PMOS集成電路，由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補(bǔ)MOS電路，即CMOS電路。

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]CMOS-CMOS集成電路閂鎖效應(yīng)措施解析[ 2019-09-17 11:17 ]

cmos應(yīng)用在CMOS應(yīng)用中能同時(shí)將p溝道m(xù)os管與n溝道MOSFET制作在同一片芯片上．需要額外的摻雜及擴(kuò)散步驟，以便在襯底中成“阱”或“盆(tub)”．阱中的摻雜種類(lèi)與周?chē)r底不同．阱的典型種類(lèi)有p阱、n阱以及雙阱．阱技術(shù)的詳細(xì)內(nèi)容將于第14章中討論．圖6. 31為使用p阱技術(shù)制作的CMOS反相器的剖面圖．在此圖中，p溝道與n溝道MoSFET分別制作于n型硅襯底以及p阱之中．cmos電路CMOS電路的阱結(jié)構(gòu)最主要的問(wèn)題在于閂鎖現(xiàn)象，閂鎖是由阱結(jié)構(gòu)中寄生的pn&md

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