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        [常見(jiàn)問(wèn)題解答]如何區(qū)分場(chǎng)效應(yīng)管和肖特基二極管[
                                        2023-02-16 15:42
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                                    什么是場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管是場(chǎng)效應(yīng)晶體管的簡(jiǎn)稱，應(yīng)為縮寫為FET。場(chǎng)效應(yīng)管通常分為兩類：1）JFET和MOSFET。這兩類場(chǎng)效應(yīng)管都是壓控型的器件。場(chǎng)效應(yīng)管有三個(gè)電極，分別為：柵極G、漏極D和源極S。目前MOSFET應(yīng)用廣泛，JFET相對(duì)較少。MOSFET可以分為NMOS和PMOS，下圖是PMOS的結(jié)構(gòu)圖、NMOS和MOSFET的電路符號(hào)圖。PMOS的結(jié)構(gòu)是這樣的： 在N型硅襯底上做了兩個(gè)P型半導(dǎo)體的P+區(qū)，這兩個(gè)區(qū)分別叫做源極S和漏極D，在N型半導(dǎo)體的絕緣層上引出柵極G。NMOS的實(shí)物圖和引腳分布如下圖所示。什么是肖
        
                                
        
                                    
                                        http://m.kannic.com/Article/rhqfcxyghx_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見(jiàn)問(wèn)題解答]低內(nèi)阻場(chǎng)效應(yīng)管 4N10 國(guó)產(chǎn)MOS管替換 MOSFET應(yīng)用領(lǐng)域[
                                        2021-11-11 18:16
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                                    低內(nèi)阻場(chǎng)效應(yīng)管 4N10 國(guó)產(chǎn)MOS管替換 MOSFET應(yīng)用領(lǐng)域低內(nèi)阻場(chǎng)效應(yīng)管 4N10的特點(diǎn)：VDS=100VID=3.8ARDS(ON)＜240mΩ@VGS=10V封裝：SOT-23-3L低內(nèi)阻場(chǎng)效應(yīng)管 4N10的應(yīng)用領(lǐng)域：負(fù)載開(kāi)關(guān)電池保護(hù)不間斷電源低內(nèi)阻場(chǎng)效應(yīng)管 4N10的極限值：(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)漏極-源極電壓 VDS：100V柵極-源極電壓 VGS：±20V漏極電流-連續(xù) ID：3.5A漏極電流-脈沖 IDM：8A總耗散功率 PD：3.76W存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~150℃工
        
                                
        
                                    
                                        http://m.kannic.com/Article/dnzcxyg4n1_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見(jiàn)問(wèn)題解答]MOS場(chǎng)效應(yīng)管的分類,區(qū)分與寄生二極管 - 壹芯微[
                                        2021-08-13 13:57
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                                    MOS場(chǎng)效應(yīng)管的分類,區(qū)分與寄生二極管 - 壹芯微場(chǎng)效應(yīng)管分為結(jié)型(JFET)和金屬-氧化物-半導(dǎo)體型(MOSFET)兩種類型，MOSFET應(yīng)用廣泛，結(jié)型管(JFET)幾乎不用，MOSFET一般稱MOS管。MOSFET有增強(qiáng)型(EMOS)和耗盡型(DMOS)兩大類，增強(qiáng)型和耗盡型每一類下面都有(NMOS)和(PMOS)。一般主板上使用最多的是增強(qiáng)型的MOS管，NMOS最多，一般用在信號(hào)控制方面；其次是PMOS，PMOS用在電源開(kāi)關(guān)等方面，耗盡型幾乎不用。場(chǎng)效應(yīng)管分類二、區(qū)分箭頭指向G極的為NMOS;箭頭背向G極的為
        
                                
        
                                    
                                        http://m.kannic.com/Article/moscxygdfl_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見(jiàn)問(wèn)題解答]怎樣區(qū)分場(chǎng)效應(yīng)管-功率管-特肖基二極管[
                                        2021-04-14 10:11
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                                    怎樣區(qū)分場(chǎng)效應(yīng)管-功率管-特肖基二極管題目中的特肖基二極管的正確說(shuō)法是肖特基二極管，功率管是一類大功率器件的總稱，是一種統(tǒng)稱，如大功率三極管、大功率二極管、大功率MOS管等。下面介紹一下如何區(qū)分場(chǎng)效應(yīng)管和肖特基二極管。什么是場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管是場(chǎng)效應(yīng)晶體管的簡(jiǎn)稱，應(yīng)為縮寫為FET。場(chǎng)效應(yīng)管通常分為兩類：1)JFET和MOSFET。這兩類場(chǎng)效應(yīng)管都是壓控型的器件。場(chǎng)效應(yīng)管有三個(gè)電極，分別為：柵極G、漏極D和源極S。目前MOSFET應(yīng)用廣泛，JFET相對(duì)較少。MOSFET可以分為NMOS和PMOS，下圖是PMOS的結(jié)構(gòu)圖
        
                                
        
                                    
                                        http://m.kannic.com/Article/zyqfcxyggl_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見(jiàn)問(wèn)題解答]mosfet應(yīng)用-MOSFET在開(kāi)關(guān)電路中的應(yīng)用和開(kāi)關(guān)特性詳解[
                                        2020-09-15 17:20
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                                    mosfet應(yīng)用-MOSFET在開(kāi)關(guān)電路中的應(yīng)用和開(kāi)關(guān)特性詳解mosfet本文主要講mosfet應(yīng)用開(kāi)關(guān)電路中。mosfet簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。 [1]  MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型
        
                                
        
                                    
                                        http://m.kannic.com/Article/mosfetyymo_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見(jiàn)問(wèn)題解答]解析mosfet應(yīng)用電路 mos管開(kāi)關(guān)電路知識(shí)通俗易懂[
                                        2020-09-14 15:27
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                                    解析mosfet應(yīng)用電路 mos管開(kāi)關(guān)電路知識(shí)通俗易懂mosfet應(yīng)用電路，MOS管最顯著的特性是開(kāi)關(guān)特性好，所以被廣泛應(yīng)用在需要電子開(kāi)關(guān)的電路中，常見(jiàn)的如開(kāi)關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)，也有照明調(diào)光。MOS電路為單極型集成電路，又稱為MOS集成電路，它采用金屬－氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管制造，其主要特點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、制造方便、集成度高、功耗低，但速度較慢。mosfet應(yīng)用電路解析學(xué)習(xí)過(guò)模擬電路的人都知道三極管是流控流器件，也就是由基極電流控制集電極與發(fā)射極之間的電流；而MOS管是壓控流器件，也就是由柵極上所加的電壓控制漏極與源極之間
        
                                
        
                                    
                                        http://m.kannic.com/Article/jxmosfetyy_1.html3星
        
                            
        
                        
                    
                    
                    
                    
        
                    
        
                    
                    
                    
                    
                
        
            
        
        
        
        
        
            
        
        
        
        
        
        
    
        
    
    
    

        
    
        
        
        
        
        
            
        
                地 址/Address
        
            
        
                工廠地址：安徽省六安市金寨產(chǎn)業(yè)園區(qū)
                
        
                深圳辦事處地址：深圳市福田區(qū)寶華大廈A1428
        
                中山辦事處地址：中山市古鎮(zhèn)長(zhǎng)安燈飾配件城C棟11卡
        
                杭州辦事處：杭州市西湖區(qū)文三西路118號(hào)杭州電子商務(wù)大廈6層B座
        
                電話：13534146615
                企業(yè)QQ：2881579535
            
        
        
        
        
        
            
        
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