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        162023-06 常見問題解答

        電路設(shè)計(jì):二極管的防反與泄放作用介紹

        電路設(shè)計(jì):二極管的防反與泄放作用介紹1. 防反作用串聯(lián)一個(gè)二極管,利用二極管的單向?qū)щ姷奶匦?,?shí)現(xiàn)了最簡單可靠的低成本防反接功能電路。這種低成本方案一般在小電流的場合,類似小玩具等。因?yàn)槎O管導(dǎo)通會有一個(gè)0.7V(硅管)...

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        152023-06 常見問題解答

        場效應(yīng)管雪崩特性參數(shù)解析

        MOSFET雪崩特性參數(shù)解析一、EAS與EAR的定義EAS單脈沖雪崩擊穿能量, EAS標(biāo)定了器件可以安全吸收反向雪崩擊穿能量的高低。以低于Tj(max)為極限。如果電壓過沖值(通常由于漏電流和雜散電感造成)未超過擊穿電壓...

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        152023-06 常見問題解答

        電路分享:開關(guān)電容的共模反饋電路與H橋電路解析

        三、開關(guān)電容的共模反饋僅僅4個(gè)電容加6個(gè)開關(guān)就實(shí)現(xiàn)了共模反饋,非常簡潔,且?guī)缀醪粫绊慜PAM本身的輸出級電壓擺幅、增益之類的規(guī)格,非常高效。四、數(shù)據(jù)加權(quán)平均基本思想是快速遍歷DAC中的每一個(gè)電流元,從而減少電流元失配對...

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        152023-06 常見問題解答

        電路分享:自舉電路與SAR-ADC電路解析

        電路分享:自舉電路與SAR-ADC電路解析一、自舉電路此電路用在各種ADC之前的采樣電路,可以讓ADC實(shí)現(xiàn)軌到軌的輸入,采樣電路的工作電壓超過Vdd,極大的減少了設(shè)置時(shí)間,而且?guī)缀鯖]有可靠性的問題。電路里沒有任何一個(gè)器件...

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        142023-06 常見問題解答

        反相輸入放大器輸入阻抗太低問題介紹

        反相輸入放大器輸入阻抗太低問題介紹反相放大器能將輸入的信號反相放大。反相放大器的公式為Vout=-Vin*Rf/Rin.根據(jù)已知的公式,能很輕松的完成設(shè)計(jì),但反相放大器與生俱來的有個(gè)小缺陷,反相輸入放大器的輸入阻抗不是很...

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        142023-06 常見問題解答

        三極管推挽電路解析

        三極管推挽電路解析推挽電路 ,有人也叫圖騰柱電路。英文里叫push-push。這里先說這里 推和挽 針對的是電流,而不是電壓。電路由NPN三極管接正電源,PNP接負(fù)電源。共同連接基極,這樣當(dāng)信號來臨時(shí),只會有一側(cè)會被導(dǎo)通...

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        142023-06 常見問題解答

        同步整流下功率場效應(yīng)管的分析

        同步整流下功率場效應(yīng)管的分析同步整流技術(shù)就是用功率MOSFET代替普通二極管或者肖特基二極管進(jìn)行整流,所以,研究同步整流技術(shù),就必須首先深入地了解同步整流器件,即功率MOSFET。不但應(yīng)該深入研究功率MOSFET的導(dǎo)電特...

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        132023-06 常見問題解答

        晶閘管的管腳判別方法介紹

        晶閘管的管腳判別方法介紹晶閘管是晶體閘流管的簡稱,又稱作可控硅整流器(SCR),是由三個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的一種大功率半導(dǎo)體器件。在性能上,晶閘管不僅具有單向?qū)щ娦?,而且還具有比硅整流元件更為可貴的可控性,它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀...

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        132023-06 常見問題解答

        晶閘管的工作模式和工作條件介紹

        晶閘管的工作模式和工作條件介紹晶閘管又叫可控硅,是半導(dǎo)體閘流管的簡稱。晶閘管是一種大功率的PNPN型4層3端元件,可以把交流電變換成電壓大小可調(diào)的脈動直流電,也可把直流電轉(zhuǎn)換成交流電,還可調(diào)節(jié)交流電壓、做無觸點(diǎn)開關(guān)等。晶...

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        132023-06 常見問題解答

        單向晶閘管的導(dǎo)通條件介紹

        單向晶閘管的導(dǎo)通條件介紹單向晶閘管(Silicon Controlled Rectifier,簡稱SCR)是一種半導(dǎo)體器件,也是最早的一種晶閘管。它由四個(gè)半導(dǎo)體區(qū)域組成,具有三個(gè)電極:陽極、陰極和控制極。單向晶閘管具有單...

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        122023-06 常見問題解答

        直流變換器電路圖12V轉(zhuǎn)24V介紹

        直流變換器電路圖12V轉(zhuǎn)24V介紹改變一下電阻,即可改變成15V、16V、18V、20V、22V、24V等不同類型電壓值。 L1用直徑2cm的磁環(huán),1.7的聚酯漆包線緊密穿繞35匝,然后用硅橡膠密封,否則容易產(chǎn)...

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        122023-06 常見問題解答

        雙向直流變換器電路解析

        雙向直流變換器電路解析這篇文章中為大家?guī)黼p向直流變換器及其工作原理的有關(guān)介紹,主要內(nèi)容如下。雙向變換器也就是雙向DC-DC變換器,雙向DC-DC變換器是實(shí)現(xiàn)直流電能雙向流動的裝置,主要應(yīng)用于混合動力汽車和直流不間斷供電...

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        122023-06 常見問題解答

        直流變換器電路組成結(jié)構(gòu)與設(shè)計(jì)原則介紹

        直流變換器電路組成結(jié)構(gòu)與設(shè)計(jì)原則介紹在這篇文章中,將對變換器" target="_blank">直流變換器的相關(guān)內(nèi)容和情況加以介紹。一、直流變換器組成結(jié)構(gòu)1、主電路又叫作功率模塊,是整...

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        102023-06 常見問題解答

        功率MOSFET如何正確選擇

        功率MOSFET如何正確選擇鑒于現(xiàn)在可用的 MOSFET 可供選擇的范圍很廣,并且分配給主板電源的空間越來越小,使用可靠、一致的方法來選擇正確的 MOSFET 變得越來越重要。這種方法可以加快開發(fā)周期,同時(shí)優(yōu)化特定應(yīng)用的...

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        102023-06 常見問題解答

        集成電路的應(yīng)用介紹

        集成電路的應(yīng)用介紹集成電路是指采用一定的工藝,把一個(gè)電路中所需的三極管、二極管、電阻、電容、電感等元器件及導(dǎo)線互連在一起,制作在一小塊或幾小塊陶瓷、玻璃或半導(dǎo)體晶片上,然后封裝在一起,成為一個(gè)能夠?qū)崿F(xiàn)一定電路功能的微型電...

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        102023-06 常見問題解答

        使用集成MOSFET限制電流的方法介紹

        使用集成MOSFET限制電流的方法介紹電子電路中的電流通常必須受到限制。例如,在USB端口中,必須防止電流過大,以便為電路提供可靠的保護(hù)。同樣,在充電寶中,必須防止電池放電。放電電流過高會導(dǎo)致電池的壓降太大和下游設(shè)備的供...

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        092023-06 常見問題解答

        MOSFET電路圖文介紹

        MOSFET電路圖文介紹MOSFET已成為最常用的三端器件,它們非常小,制造過程非常簡單。由于MOSFET的特性,模擬電路和數(shù)字電路都成功地實(shí)現(xiàn)了集成電路,MOSFET電路可以從大信號模型小信號模型兩種方式進(jìn)行分析。大信...

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        092023-06 常見問題解答

        BJT晶體管的工作區(qū)域解析

        BJT晶體管的工作區(qū)域解析晶體管是一種流行的三端半導(dǎo)體器件,用于開關(guān)和放大應(yīng)用。我們今天使用的現(xiàn)代電子產(chǎn)品之所以成為可能,是因?yàn)榫w管在大幅減小電路板尺寸方面發(fā)揮了巨大作用。BJT晶體管工作區(qū)域:熟悉BJT晶體管的下一個(gè)...

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        092023-06 常見問題解答

        限幅電路和鉗位電路如何用二極管實(shí)現(xiàn)

        限幅電路和鉗位電路如何用二極管實(shí)現(xiàn)本篇將分析限幅電路和鉗位電路,是如何用二極管來實(shí)現(xiàn)的。限幅電路    如下圖所示,當(dāng)在正半周期,并且VIN大于等于0.7V,二極管正向?qū)?。此時(shí),VOUT會...

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        082023-06 常見問題解答

        IGBT激光退火技術(shù)解析

        IGBT激光退火技術(shù)解析激光退火是絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)背面工藝的重要步驟。對離子注入后的硅基IGBT 圓片背面進(jìn)行激光快速退火,實(shí)現(xiàn)激活深度,有效修復(fù)離子注入破壞的晶格結(jié)構(gòu)。隨著IGBT技術(shù)發(fā)展和薄片加工工藝研...

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        杭州辦事處:杭州市西湖區(qū)文三西路118號杭州電子商務(wù)大廈6層B座
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