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[常見問題解答]場效應管引腳辨識全指南：三極如何快速區(qū)分？[ 2025-03-26 17:58 ]

在實際電子制作或維修過程中，我們經(jīng)常會遇到各種類型的場效應管（FET），而準確識別其三個引腳——源極（Source）、漏極（Drain）和柵極（Gate），則是使用這類器件的關鍵步驟。尤其在面對沒有明確型號標識或數(shù)據(jù)手冊的器件時，掌握一些實用的辨別技巧將大大提高工作效率。一、基礎回顧：場效應管的三大引腳場效應管是一種電壓控制型半導體器件，常見于信號放大、電平轉(zhuǎn)換、功率驅(qū)動等場景。無論是結(jié)型場效應管（JFET），還是絕緣柵型場效應管（MOSFET），它們都擁有三個主要引腳：- 源極（S）：電流

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[常見問題解答]什么是MOS管的連續(xù)漏極電流？從基礎到實際應用的全面剖析[ 2024-10-23 15:50 ]

MOS管（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是非常常見的器件。它在放大電路的各種電流管理和漏電流中起著重要作用，直接影響MOS管的工作效率和穩(wěn)定性。本文將從基本概念出發(fā)，詳細分析MOS管的連續(xù)漏極電流，并討論其實際應用。一、什么是連續(xù)電流連續(xù)漏極電流是指MOS管長時間穩(wěn)定工作時從漏極流向源極的電流。它是MOS管的主要性能指標之一，直接反映MOS管在特定電壓和溫度條件下的性能。當MOS管處于導通狀態(tài)時，這個電流的大小決定了電路中MOS管的輸出特性、制造工藝、使用環(huán)境等。在器件數(shù)據(jù)手冊中，該參數(shù)通常為ID（漏極電流），以幫

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[常見問題解答]開關穩(wěn)壓器中的電流模式控制介紹[ 2023-03-08 18:05 ]

有數(shù)千款不同的開關穩(wěn)壓器，用戶會基于不同的參數(shù)選擇所需的類型，例如輸入電壓范圍、輸出電壓范圍、最大輸出電流，以及許多其他參數(shù)。本文將針對電流模式進行介紹，這是數(shù)據(jù)手冊中常見的一項重要特性，同時還會分析此模式的優(yōu)缺點。圖1.電流模式穩(wěn)壓器的基本工作原理電流模式穩(wěn)壓器解析圖1顯示電流模式穩(wěn)壓器的基本工作原理。這里，不止將反饋電壓與內(nèi)部基準電壓進行比較，還將其與生成電源開關所需的PWM信號所用的鋸齒形電壓斜坡進行比較。在電壓模式穩(wěn)壓器中，該斜坡的斜率是固定的。在電流模式穩(wěn)壓器中，斜率取決于電感電流，由圖1所示的開關節(jié)點的

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[常見問題解答]ESD二極管兼作溫度傳感器介紹[ 2023-02-09 16:26 ]

問：根據(jù)數(shù)據(jù)手冊規(guī)格估算高速放大器的結(jié)溫有多準確？結(jié)溫是否易于測量？答：從環(huán)境溫度（T一個）、功耗（PD），和熱阻 θJA），如公式1所示。TJ = TA + PDθJA (1)他告訴我一種替代方法，通過使用片上輸出級保護二極管作為溫度傳感器來獲得常用3端子穩(wěn)壓器的結(jié)溫。他的公司在日常測試和評估期間使用保護二極管測量穩(wěn)壓器的結(jié)溫。這種溫度檢測技術(shù)也可用于高速運算放大器。在圖1中，二極管D3和D4保護運算放大器免受靜電放電（ESD）的損壞。二極管 D

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[常見問題解答]雙端口、雙極性電源方案電路設計介紹[ 2022-11-24 16:27 ]

雙象限電源可以為相同的輸出端口提供正電壓或負電壓，而采用LT8714 4象限控制器可以輕松制造出這種電源。此處所示的雙象限電源可用于多種應用，從玻璃貼膜（更改極性會改變晶體分子的排列）到測試測量設備，應用廣泛。Lt8714數(shù)據(jù)手冊描述了雙象限電源在第一個象限（正輸入、正輸出）和第三個象限（正輸入、負輸出）的工作方式。注意，在這兩個象限中，電源都提供源電流，因此會產(chǎn)生電源，而非接收電源。第二象限和第四現(xiàn)象產(chǎn)生接收電源。電路描述及功能圖1所示為雙象限電源LT8714的電路圖。動力系統(tǒng)由NMOS QN1、NMOS QN2

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[常見問題解答]關于開關頻率需要考慮的詳情介紹[ 2022-10-22 15:53 ]

根據(jù)其數(shù)據(jù)手冊技術(shù)規(guī)格，開關穩(wěn)壓器 IC 中內(nèi)置的振蕩器通常可用于非常寬的頻率范圍。例如：單片 ADP2386 降壓變換器 IC 可確保其開關頻率在設定值的±10%范圍內(nèi)。其他常用的開關穩(wěn)壓器 IC 則指定為設定值的±20%或更高范圍。由于 ADP2386 開關頻率具有±10%的變化范圍，在極端情況下，ADP2386 使用 RT 將開關頻率設置為 600 kHz，即可在 540 kHz 和 660 kHz 頻率下進行開關轉(zhuǎn)換。圖 1. ADP2386 降壓變換器，其開關頻率

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[常見問題解答]運算放大器基本電路_運算放大器電路符號介紹[ 2022-09-13 18:13 ]

運算放大器（簡稱“運放”）是具有很高放大倍數(shù)的電路單元。在實際電路中，通常結(jié)合反饋網(wǎng)絡共同組成某種功能模塊。它是一種帶有特殊耦合電路及反饋的放大器。其輸出信號可以是輸入信號加、減或微分、積分等數(shù)學運算的結(jié)果。由于早期應用于模擬計算機中用以實現(xiàn)數(shù)學運算，因而得名“運算放大器”。1.1 電源供電和單電源供電所有的運算放大器都有兩個電源引腳，一般在資料中，它們的標識是 VCC＋和 VCC－，但是有些時候它們的標識是 VCC＋和 GND。這是因為有些數(shù)據(jù)手冊的作者企圖將這種標

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[常見問題解答]IGBT換流回路中雜散電感的測量介紹 | 壹芯微[ 2022-09-02 19:04 ]

換流回路中的雜散電感會引起波形震蕩，EMI或者電壓過沖等問題。因此在電路設計的時候需要特別留意。本文給出了電路雜散電感的測量方法以及模塊數(shù)據(jù)手冊中雜散電感的定義方法。圖1為半橋電路的原理電路以及開關上管IGBT1時產(chǎn)生的電壓和電流波形。作為集中參數(shù)顯示的電路雜散電感Lσ，代表了整個回路（陰影區(qū)域）中的所有的分布電感（電容器、母線和IGBT模塊）。半橋電路以及開關IGBT1時的電流和電壓波形由于電流的變化，在雜散電感Lσ上產(chǎn)生了Lσ*dioff/dt的電壓降。它疊加在DC-link電壓Vcc上，被看作是關斷IGBT1

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[常見問題解答]大功率晶閘管參數(shù)解析之正向特性介紹[ 2022-08-24 17:24 ]

功率二極管晶閘管廣泛應用于AC/DC變換器、UPS、交流靜態(tài)開關、SVC和電解氫等場合，但大多數(shù)工程師對這類雙極性器件的了解不及對IGBT的了解，為此我們組織了6篇連載，包括正向特性，動態(tài)特性，控制特性，保護以及損耗與熱特性。電氣特性二極管和晶閘管的電氣特性隨溫度變化而變化，因此只有針對特定溫度給出的電氣特性才是有效的。除非另有說明，否則數(shù)據(jù)手冊中的所有值均適用于40至60Hz的電源頻率。最大值為制造商以絕對極限值形式給出的值，通常即使在短時間內(nèi)也不可超過此值，否則可能導致元件功能下降或損壞。特征值為規(guī)定條件下的數(shù)

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[行業(yè)資訊]STD3NK50Z參數(shù),中文資料,規(guī)格書 - 場效應MOS管 - 壹芯微[ 2021-12-28 16:16 ]

STD3NK50Z參數(shù),中文資料,規(guī)格書 - 場效應MOS管 - 壹芯微STD3NK50Z中文參數(shù),STD3NK50Z封裝引腳圖,STD3NK50Z數(shù)據(jù)手冊,MOS管選型替代(生產(chǎn)廠家)STD3NK50Z場效應管封裝TO-252,TO-251,TO-92,特征· 典型 RDS(on)=2.8Ω· 極高的dv/dt能力· ESD改進能力）· 100%雪崩測試· 新的高壓基準· 柵極電荷最小化絕對最大額定值（TC=25°C，除非

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[行業(yè)資訊]TK3P50D參數(shù),中文資料,規(guī)格書 - 場效應MOS管 - 壹芯微[ 2021-12-28 16:05 ]

TK3P50D參數(shù),中文資料,規(guī)格書 - 場效應MOS管 - 壹芯微TK3P50D中文參數(shù),TK3P50D封裝引腳圖,TK3P50D數(shù)據(jù)手冊,MOS管選型替代(生產(chǎn)廠家)TK3P50D場效應管封裝TO-252特征開關穩(wěn)壓器(1) 低漏源導通電阻：RDS(ON)=2.3Ω（典型值）(2) 高前向轉(zhuǎn)移導納：|Yfs|=1.0S（典型值）(3) 低漏電流：IDSS=10µA（最大值）（VDS=500 V）(4) 增強模式：Vth=2.4至4.4V（VDS=10V，ID=1mA）絕對最大額定值（TC=25&de

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[行業(yè)資訊]HMC8038LP4CE規(guī)格參數(shù) 數(shù)據(jù)手冊PDF〔壹芯微〕[ 2021-12-22 11:53 ]

HMC8038LP4CE規(guī)格參數(shù) 數(shù)據(jù)手冊PDF〔壹芯微〕描述HMC8038LP4CE是一種高隔離、無反射、0.1GHz至6.0GHz硅單刀雙擲(SPDT)開關，采用無鉛表面安裝封裝。該交換機是蜂窩基礎設施應用的理想選擇，可產(chǎn)生高達4.0GHz的高達62dB的隔離，高達4.0GHz的低0.8dB的插入損耗，以及60dBm的輸入三階截距。功率處理在高達6.0GHz時非常出色，它為35dBm(VDD=5V)的0.1dB壓縮點(P0.1dB)提供了輸入功率。在極低直流電流下，從0V到1.8V/3.3V/5.0V的單正電壓

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[行業(yè)資訊]SPD02N50C3場效應管參數(shù) (MOS管) SPD02N50C3規(guī)格書參數(shù)代換〔壹芯微〕[ 2021-12-21 13:39 ]

SPD02N50C3場效應管參數(shù) (MOS管) SPD02N50C3規(guī)格書參數(shù)代換〔壹芯微〕SPD02N50C3中文參數(shù),SPD02N50C3封裝引腳圖,SPD02N50C3數(shù)據(jù)手冊,MOS管選型替代(生產(chǎn)廠家)SPD02N50C3場效應管主要參數(shù)（最大額定值）：漏源電壓(VDSS)：560V柵源電壓(VGSS)：±20V雪崩電流(IAR)：1.8A漏極電流-連續(xù)(TJ=25°C)(ID)：1.8A漏極電流-連續(xù)(TJ=100°C)(ID)：1.1A漏極電流-脈沖(IDPlus)：5.

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[行業(yè)資訊]SDU05N04場效應管參數(shù) (MOS管) SDU05N04規(guī)格書參數(shù)代換〔壹芯微〕[ 2021-12-21 11:58 ]

SDU05N04場效應管參數(shù) (MOS管) SDU05N04規(guī)格書參數(shù)代換〔壹芯微〕SDU05N04中文參數(shù),SDU05N04封裝引腳圖,SDU05N04數(shù)據(jù)手冊,MOS管選型替代(生產(chǎn)廠家)SDU05N04場效應管主要參數(shù)（最大額定值）：漏源電壓(VDSS)：400V柵源電壓(VGSS)：±30V漏極電流-連續(xù)(TJ=25°C)(ID)：4A漏極電流-連續(xù)(TJ=70°C)(ID)：3.3A漏極電流-脈沖(IDM)：12A單脈沖雪崩能量(EAS)：2.5mJ功耗(TC=25°

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[行業(yè)資訊]FDD5N50場效應管參數(shù) (MOS管) FDD5N50規(guī)格書參數(shù)代換〔壹芯微〕[ 2021-12-21 11:17 ]

FDD5N50場效應管參數(shù) (MOS管) FDD5N50規(guī)格書參數(shù)代換〔壹芯微〕FDD5N50中文參數(shù),FDD5N50封裝引腳圖,FDD5N50數(shù)據(jù)手冊,MOS管選型替代(生產(chǎn)廠家)FDD5N50場效應管主要參數(shù)（最大額定值）：漏源電壓(VDSS)：500V柵源電壓(VGSS)：±30V雪崩電流(IAR)：4A漏極電流-連續(xù)(TJ=25°C)(ID)：4A漏極電流-連續(xù)(TJ=100°C)(ID)：2.4A漏極電流-脈沖(IDM)：16A單脈沖雪崩能量(EAS)：256mJ重復雪崩能量

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[行業(yè)資訊]CJU04N65場效應管參數(shù) CJU04N65參數(shù)資料規(guī)格書〔壹芯微〕[ 2021-12-20 14:45 ]

CJU04N65場效應管參數(shù) CJU04N65參數(shù)資料規(guī)格書〔壹芯微〕CJU04N65參數(shù)資料,選型替代,CJU04N65封裝引腳圖,數(shù)據(jù)手冊,MOS管生產(chǎn)廠家漏源電壓(VDSS)：650V柵源電壓(VGSS)：±30V漏極電流-連續(xù)(TJ=25°C)(ID)：4.0A漏極電流-脈沖(IDM)：16A單脈沖雪崩能量(EAS)：280mJ功耗(TC=25°C)(PD)：1.25W工作與貯存溫度范圍(TJ,TSTG)：-55~+150°С焊接的最高引線溫度(TL)：260°

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[行業(yè)資訊]JCS5N50RT場效應管參數(shù) JCS5N50RT參數(shù)資料規(guī)格書〔壹芯微〕[ 2021-12-20 14:38 ]

JCS5N50RT場效應管參數(shù) JCS5N50RT參數(shù)資料規(guī)格書〔壹芯微〕JCS5N50RT參數(shù)資料,選型替代,JCS5N50RT封裝引腳圖,數(shù)據(jù)手冊,MOS管生產(chǎn)廠家漏源電壓(VDSS)：500V柵源電壓(VGSS)：±30V雪崩電流(IAR)：5A漏極電流-連續(xù)(TJ=25°C)(ID)：5A漏極電流-連續(xù)(TJ=100°C)(ID)：3.16A漏極電流-脈沖(IDM)：20A單脈沖雪崩能量(EAS)：305mJ重復雪崩能量(EAR)：10.1mJ二極管恢復峰值(dv/dt)：4.

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[行業(yè)資訊]TK5P50D場效應管參數(shù) TK5P50D參數(shù)資料規(guī)格書〔壹芯微〕[ 2021-12-20 14:09 ]

TK5P50D場效應管參數(shù) TK5P50D參數(shù)資料規(guī)格書〔壹芯微〕TK5P50D參數(shù)資料,選型替代,TK5P50D封裝引腳圖,數(shù)據(jù)手冊,MOS管生產(chǎn)廠家漏源電壓(VDSS)：500V柵源電壓(VGSS)：±30V雪崩電流(IAR)：2A漏極電流-連續(xù)(TJ=25°C)(ID)：2.8A漏極電流-連續(xù)(TJ=100°C)(ID)：1.8A漏極電流-脈沖(IDM)：9A單脈沖雪崩能量(EAS)：120mJ重復雪崩能量(EAR)：60mJ二極管恢復峰值(dv/dt)：50V/ns功耗(TC=

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[行業(yè)資訊]AOD3N50場效應管參數(shù) AOD3N50參數(shù)資料規(guī)格書〔壹芯微〕[ 2021-12-16 18:06 ]

AOD3N50場效應管參數(shù) AOD3N50參數(shù)資料規(guī)格書〔壹芯微〕AOD3N50參數(shù)資料,選型替代,AOD3N50封裝引腳圖,數(shù)據(jù)手冊,MOS管生產(chǎn)廠家漏源電壓(VDSS)：500V柵源電壓(VGSS)：±30V雪崩電流(IAR)：2A漏極電流-連續(xù)(TJ=25°C)(ID)：2.8A漏極電流-連續(xù)(TJ=100°C)(ID)：1.8A漏極電流-脈沖(IDM)：9A單脈沖雪崩能量(EAS)：120mJ重復雪崩能量(EAR)：60mJ二極管恢復峰值(dv/dt)：50V/ns功耗(TC=

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[行業(yè)資訊]RJK5030DPD場效應管參數(shù) RJK5030DPD參數(shù)資料規(guī)格書〔壹芯微〕[ 2021-12-16 17:54 ]

RJK5030DPD場效應管參數(shù) RJK5030DPD參數(shù)資料規(guī)格書〔壹芯微〕RJK5030DPD參數(shù)資料,選型替代,RJK5030DPD封裝引腳圖,數(shù)據(jù)手冊,MOS管生產(chǎn)廠家漏源電壓VDSS：500V柵源電壓VGSS：30V漏極電流ID：5A漏極峰值電流ID(脈沖)：20A雪崩電流IAP：5A通道耗散Pch：41.7W通道到外殼的熱阻抗符號θch-c：3.0C/W通道溫度Tch：150C儲存溫度Tstg：-55至+150C〔壹芯微〕國內(nèi)功率半導體制造廠商，主營各類貼片與直插，二極管、三極管、MOS(場效應管)、可

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